[案例实践]CST电源完整性仿真采用一键PI和3D(FEFD) Modeling的结果比较

对同一块PCB的同一个电源网络分别进行了一键PI和3D(FEFD)Modeling ,结果出现不的的结果，大家帮我分析下是什么原因，谢谢！ 上图： #SQT!4  
一键PI设置： -$?xR](f  

图片:01.jpg

wS <d8gw  
一键PI结果： ln'7kg
 

图片:one key PI.jpg

&'N{v@Oi)  
3D(FEFD) Moeling 设置： 7tfMD(Q]e/  

图片:3D setting.jpg

nE+sbfC   
3D(FEFD) Moeling 结果： .Frc:Y{  

图片:3D result.jpg

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两者比较图： ._~_OVU  
[attachment .. fr;>`u[;  
yW^[{)V 3%  

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看了你的帖子，我用PCBS仿真了一下，发现了一个问题，3D（FEFD）电源仿真后，怎么没有显示结果？？很疑惑~希望你指导一下~

3D（FEFD）后只是提取模型，需要进行电路上的连接，建立S参数仿真才能得到电源的阻抗分布曲线。

保持一键式PI和FEFD模型的设置一致 Pn@k)g  
简单起见，没考虑传输线RLC集总参数 Rz}?@zh_8  
右上角红色的P_1是一键式结果，设置为不自动更新，以便对比，绿色z1,1是手动挡的，波形重合 n}==
 

图片:未命名.jpg

\PS{/XK  

我试过如果在componet settig里面都设置为True 则结果是一致，我看丛书15上对一键PI时，Component settin里面为true，但是采用3D modeling时 又将Component setting设置为false，书上说仿真结果一致，我仿真结果就不一致，这么说来是书本上有误。

书里面没用RLC参数好像是想演示去耦电容和设计优化，隔太久了，有点忘了那书里说的细节了

不是的，演示去耦电容和设计优化是这个之后的那一节。

感谢您提供的资料，期待您继续分享！

希望CST的高手能解答下CST做PI仿真时用3D（FEFD）modeling 要不要将component setting 设置为true？谢谢~~

wzlxhsun:希望CST的高手能解答下CST做PI仿真时用3D（FEFD）modeling 要不要将component setting 设置为true？谢谢~~ (2012-08-26 10:44)  DG-vTr  

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看你做什么了，做设计的话选false，只是评估成品的话true