[正在讨论]功放降压使用P1dB回退多少？！

使用Triquint公司的AP561，推荐12V下的P1dB=39dBm，现在7V下使用，P1dB大概是多少？ j)b[7%
 
有没有什么经验类的公式能推算一下功放降压用的P1dB变化啊？不会是U*U/R吧？ swLrp 74  
能推荐一个7V下P1dB=8W或者更大的功放管 .. Vo8gLX]a  
q
=`i  

未注册仅能浏览部分内容，查看全部内容及附件请先 登录 或 注册

忘了说，频段是2.3GHz

P=V^2 / (2R). 6H=gura&  
7V也有可能出8~10W, 调输出匹配大约到2ohm.

大概是4.36W，按饱和压降Vsat=1V算的。8W*(7V-Vsat)/(12V-Vsat)，如果Vsat为2V，那就是8*（7-2)/(12-2)=4W了。绝对应该处于这两个数之间。

楼上的算法不太切实际，必须假设功放电流不变，或负载不变（即匹配不重调）。实质上此管的最大电流能力在7v下比12v大多了。 hd u2?v@  
HBT不象FET器件，HBT三极管没有严格的饱和电流定义，只有最大可承受电流。只要器件撑得住，低压大电流也能出大功率。 :Ys~Lt54  
另外，公式里的Vsat应用0.7v，HBT也叫拐点电压。 VOLj#H  
三极管的功率比较适合用我写的公式，因为最大电流不定的原因。 当然，更精确的电压应表达成V=Vcc-0.7. -~|{q)!F  

楼上说的很有道理，但问题是器件工作在5V 3A时寿命长呢还是3V 5A寿命长呢？那1V 15A又会怎么样呢？不是很懂，所以宁可浪费也不敢把器件加高电流，就写了上面的公式。

这就牵涉到器件可靠性的两个概念：SOA和MTTF. YAr6cl  
SOA（安全工作区）在器件 I-V曲线靠右和靠上的边缘，有点象双曲线。事实上器件能承受的DC功率，低压大电流要比高压低电流大，前者主要受限于器件的耐热，后者不光受限于器件的耐热，还要受限于器件的本身的耐压程度。 d(T4Kd$r  
CubQ6@,  
另外一个概念MTTF，我就不用多解释了。可以用厂家提供的Rth（热阻）乘以纯DC功率，得温升加环境温度最后算出结温, 对查厂家提供MTTF。

此贴话虽不多，但牵涉的内容不少： Km`
SR^&\  
I-V, SOA，器件物理。 Gk,Bx1y  
Po, RL，功放功率和阻抗设计 k$w~JO!s  
Rth，热设计 ~t`^|cr|  
MTTF，可靠性 J7+G"_)'  
希引起更多朋友的关注。

看到了就回一下吧，大约是38dBm左右。

用负载线估计一下