[互助]波导窄边缝隙阵列天线电导与激励分布的关系

阵列为谐振式阵列,单端馈电，另一端短路。 ag~4m5n*~  
如果确定使用一种分布，如泰勒分布 D-GIrw{>5  
有文献提到： l'#P:eW  
宽边纵缝可以根据电平分布直接求出各缝隙导纳值 {Al}a`da  
2K*sum(An^2)=1 pMfP3G7V  
gn=K*An^2 S9'8rn!_  
求出系数K，再利用史蒂文森公式求解缝隙的偏移量。 $cUTe  
这里的电平分布是电压还是电流？ /N'|Vs,X  
l_`DQ
8L`  
>#jfZ5t  
那么对于窄边缝隙，上面的方法是否可行呢？ 4z$}e-

 
窄边缝隙电导值是不是也和An^2成正比呢？ 9*"Ae0ok1  
fNkN  
.. pO~lVM  
AzwG_XgM)  

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个个儿顶一下

计算是对的 L\;n[
,.  

是的 可以这么计算。窄边跟宽边驻波阵是一样的。不过这没考缝隙之间的耦合吧

同问....