[正在讨论]在HFSS中给周期性结构施加激励求散射参数

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现在这个问题在hfss11版本中得到了圆满解决，即新引入floquet port再结合master和slave边界方法，that's pretty simple!

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从理论上说：平面波入射到周期阵列上时，会产生很多模式的散射波（类似于平面波展开），我们关心的仅仅是一些低阶模式的散射波，因为只是低阶模式的散射波可以传播，高阶模是的散射波在传播过程中很快就会衰减掉。（至于哪些模式的散射波可以传播，可以很容易地通过不同模式散射波的传播矢量看出，传播式量是实数，此模式的散射波就可以传播，否则就是衰减模）。所以我们需要看的也就是那些能够传播的散射波的能量。xiongyong和flyrock说通过参考面上的反射场和入射场之间的比值来确定反射系数（S21），我想问一下：在参考面上能不能把不同模式的散射场分开，如果能分开的话，这种办法是非常可行的，数值分析时也都是采用的这种方法，如果分不开的话，此时求得的反射系数和我们需要的反射系数就不是一回事（偏大），也就没有意义了。同理：对于口径型周期阵来来说，求传输系数也是一样的。 &24$*Oe  
我的邮箱是：fjmeng@mars.swjtu.edu.cn. ;LE9w^>^V  
我现在主要是用矩量法对有厚度的周期结构作数值分析。 ooIA#u  
jqpros、xiongyong和flyrock你们在HFFSS里面做过具体的模型仿真吗？如果做过，和数值计算的结果比较是不是符合得很好？我们能交流一下吗？

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floquet port激励方式与waveport的激励方式非常类似，可以指定端口处所需考虑的floquet模式数目，比如低阶模式有TE(0,0)和TM(0,0)，这就类似于平面波激励，只是场的极化方向不同，高阶模式就伴随着衰减，这些都可以通过对端口的合理设置加以考量。

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请教楼主，引入floquet port再结合master和slave边界方法求得的S参数只是其大小呢？还是实部和虚部都能得到？

N2_9V~!  
都有的，该端口的引入极大的简化了周期性结构的研究，可以说是HFSS11之中的一大亮点。在HFSS11的自带的文档中有专门对该端口使用方法的介绍和例子，有兴趣的不妨一试。

这个问题的却不容易啊，希望高手们指导啊，能不能上传一个例子供大家参考啊。

一般的波端口激励必须使用波导近似方法，也就是利用理想电壁和理想磁壁作边界条件， s2{d<0x?v  
如果平面波激励，就可以使用MASTER 和SLAVE.

有待研究，待我弄明白之后与大家讨论 p`
)GO.pz  
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请问楼主你的问题解决没有？ )x/Spb  
我也想研究PBG结构 UJXRL   
不知道咋弄 UN <s1  
希望赐教 hpD\,  
非常感谢

那位大侠上传一个这方面的例子嘛，都研究好长时间了，就是没有效果