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关于反向散射调制电路的仿真
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关于反向散射调制电路的仿真
离线
wxlailp
天使的马仔
UID :82812
注册:
2011-09-15
登录:
2013-03-21
发帖:
90
等级:
仿真二级
0楼
发表于: 2012-05-08 17:42:16
用Term1 端口模拟天线的50Ω输入阻抗,用Term2模拟50Ω的微带线,它们之间插入一个远远大于50Ω的电阻和FET(ATF21170),通过改变FET的栅极电压来实现阻抗的变换,当栅极电压≤0时,FET导通使得天线的端口短路,根据S11=20lg|(Z天线-Z)/(Z天线+Z)| ,天线阻抗为0 此时S11=0dB 实现全反射,当栅极电压大于0,FET截止,Z天线约等于Z,(Z=50//4.7K)此时全吸收。
+sJ{9# 6
可是改变栅极电压时,S11参数没 ..
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图片:20120508173156.JPG
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离线
fredhcn
UID :18336
注册:
2008-10-01
登录:
2014-01-11
发帖:
513
等级:
七级仿真大师
1楼
发表于: 2012-05-08 19:09:22
FET模型用错了,你用的sp_xxx这种是在特定电压下测出来的s参数,不需要外部电路来供给直流,你改电压不会对它有效果
e mq%" ;.
如你图上显示,你这个模型是在Vds=3V Id=20mA时测定的
rI:]''PR
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hefang
技术分
+1
积极参与讨论+技术分 论坛感谢您的参与
2012-05-09
hefang
rf币
+10
积极参与讨论+技术分 论坛感谢您的参与
2012-05-09
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