[建模]CST TE波和TM波的边界条件怎么设置？

大家帮助下 .. 3sgo5D-rMI  
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看样子你是要算metamaterial...其他的我就看不懂了，更别说回答了。。

这个问题我是这样定义的： g{hbq[>X]  
首先讨论正入射情况下，波传播方向沿 z 轴， 这样的话定义的电磁波平面在XY面上，E和H总是正交的，那么反推一下就能得到E和H的方向。 +X>Aj=#  
设 E// x 轴，那么选 Ymin和Ymax的 Ht=0（y方向的切向磁场为零，亦即y的切向电场不为零） o<g1;  
                再选  Xmin和Xmax的 Et=0（x方向的切向电场为零，亦即x的切向电场不为零） Gd|j
E  
要弄清楚 y 方向的切向是 x 方向， x 方向的切向是 y 方向，就很容易明白了。 #BIY[{!  
BbgKaCq  
同理，E // y 轴，那么选 Xmin和Xmax的 Ht=0；Ymin和Ymax的 Et=0. QD 0p  
JNI&]3[C>?  
斜入射的话，把样品（结构）转一下角度就可以了。 Ujvk*~:  

楼上所说的就是在Floquet模还没有引入以前使用的波导模拟器。波导两个面是PEC，另两个面是PMC。一个模式仿真完成后再交换PEC和PMC，仿真另一个模式，激励使用波导端口。这种结构只能仿真正入射，不能仿真斜入射。因此楼主的问题最好使用周期边界条件和Floquet模。

能不能用周期边界还要看具体想仿真什么东西

是滴~~呵呵

我的理解也是这样的，补充下Zmin和Zmax设置open }.zgVLL  
<WBGPzVZE  
斜入射我不认为那样可以解决，因为转样品的同时，波导激励端口也跟着转了，所以还是正入射。不过我也不会模拟斜入射。有朋友知道可以讨论一下。。。 YQX>)'  
+I\bs.84  
至于周期性边界条件，我从没有设置过，因为设置了周期条件，那E和H的方向就没法设置了，所以我通常手动复制10X10个单元来仿周期问题。

如果是仿真无限大的周期平面是可以使用unit cell边界的，并可以在设置边界条件的时候设置入射方向 kK1qFe?]  

unit cell边界只能使用频域算法哦 ~

这样一来斜入射和周期边界的问题确实解决了，但入射波的偏振态就没法设置了啊？