[建模]CST MWS仿真Si基底在THz波段的透射率

大家好，小弟是新手，最近想用CST仿真亚波长阵列的太赫兹异常透射，但是刚起步就遇到了麻烦，张敏的用户手册已经看完了，我觉得问题在于材料的设置，对问题的描述如下，请各位大师帮忙看看问题在哪里。。。 ySruAkw%  
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论文里的结构都很简单，基本就是金属薄膜镀在Si基底上，开一些矩形或者圆形的孔阵列，用CST可以轻松画出，但模拟的结果与论文给出的结果有很大出入，对此，我只画了Si基底进行仿真，发现结果仍与实际情况有很大出入。 ."JzDs   
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论文所用基底材料：Si，厚度640μm，P型，电阻率20Ω·cm !Q[}s#g  
我画的结构：材料Silicon（lossy），厚度沿Z轴640μm，长宽均为100μm，P型半导体，这项我不知道在哪里设置，电阻率我换算成电导率是5S/m，在Material Properties里已经做了更改。端口1和端口2分别设置在前表面和后表面5μm之处，单位设置分别为μm、THz、ps，Material type由PEC换为normal，Boundaries设置为Z轴open，X轴Et=0，Y轴Ht=0，瞬态分析得到的S参量如下： 1 Nk1MGV  
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图片:640.jpg

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这是什么情况，Si板的透过率应该 .. cS~!8`Fwy  
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帮你试验了下，如果端口贴紧材料就没事了，空气和介质不匹配肯定会震荡的

多么典型的Fabry–Pérot腔干涉啊。。。。。

哇！太感谢了！我这是思维定势啊，因为同学教我用这软件时一直强调端口要离开表面一点点！ t=E|RYC(k  
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另外请教下，Si的N型和P型这个参数需要设置吗？在哪里设置呢？

我还是基础太差，多谢提醒！

引用第3楼裸奔的狗于2012-04-06 19:18发表的 回 1楼(hawk8969) 的帖子 : 7SZs/wWh%  
哇！太感谢了！我这是思维定势啊，因为同学教我用这软件时一直强调端口要离开表面一点点！
另外请教下，Si的N型和P型这个参数需要设置吗？在哪里设置呢？ >WX'oP(<  

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这两种半导体在材料属性上有什么差异呢？

这我也不太清楚，因为论文里的Si基底，有的用N型，有的用P型，于是有此一问。。。

N型P型只是一个空穴一个电子吧，我也说不清

不管怎样，问题是解决了，N型还是P型貌似也不那么重要，多谢萨菲罗斯老师！ 40Du*5M  
MOj 0"x)  
昨晚尝试了表面设置金属结构，190nm的铝膜，但是端口紧贴表面就会导致运算出错，看提示，貌似是网格划分的问题，我再回炉下教程，研究研究网格划分的问题~

google Fabry–Perot interferometer，运行下面matlab代码试试。。。 C[~b6UP  
#MI}KmH  
R=0.5;%反射率，假定 o\2#o5#  
F=4*R./(1-R).^2;%精细因子 iLFF "Hs  
n=3.5;%折射率，假定。 %无损耗 Yh4e\]ql~N  
Freq=0.3:0.001:3;%频率,THz %GAEZH,2sG  
delta=2*pi.*Freq/3*2*n*6.4;%位相差 sR#( \  
T21=1./(1+F.*sin(delta./2).^2);%透过率 b-ZvEDCR  
R11=1-T21;%反射率 xGz$M@f  
plot(Freq,T12,Freq,R11)