[求助]关于雷达截面变化量决定标签识别的问题

http://www.doc88.com/p-170398698358.html《超高频射频识别抗金属标签研究》。请大家关注论文里2.3.7这一节。现有两个看法需要讨论： D8>
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1、标签接收到的信号强度必须在标签阀值之上，标签才能工作，才能返回信号； 9cEv&3  
2、标签天线的雷达截面变化量越大，其返回的信号才会更容易被阅读器解调出来。那么如何才能提高雷达截面变化量，在设计标签天线时 .. {e+-vl  
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第一条应该没什么值得疑问的地方。想做到第二条，直接有效的途径就是让天线阻抗和芯片阻抗共轭匹配。

雷达截面变化量是不是和芯片的Q值有关系呢？

这个问题怎么没人关注呢，我觉得这个问题很重要。好标签不仅仅是匹配的好，估计还有其他的原因。

Q值决定阻抗匹配的难易，芯片高Q值不易匹配。一个标签好坏当然不是由匹配决定的，在有些情况下，阻抗不完全匹配是件好事

Q指？你说的是虚部和实部的比值？这和天线匹配的实际关系到底是什么呢？我只是从现象上看，Q值合适的时候，对天线阻抗带宽比较有利。。但实际理论问题是什么呢？

雷达散射截面和天线的结构、天线与芯片之间的反射系数、天线的增益 有关系。不同的天线结构即使有相同的增益rcs也不一样

好像雷达散射截面分为结构项散射和什么项散射的？其中有个只与增益有关，而和阻抗匹配什么的没关，我之前好像问过你？？？

严重同意你的观点。不过不大明白你想问的是什么。就我个人标签天线设计经验来讲，实部与虚部阻抗都比较低的芯片比好，尤其是实部，设计出的标签的性能更好。

模式项散射截面与增益和匹配程度有关，结构项散射截面(此时天线与负载完全匹配)只与增益有关系，但是hfss仿真rcs的时候，出现的是总的散射截面，而标签天线匹配和短路时的散射差值越大，越有利于读取。