[互助]缝隙天线导纳参数提取求问

各位大家好，小弟正在仿真宽边纵缝缝隙天线，有几个问题想咨询一下： i$Kx@,O8t  
1、看文献中提取驻波阵的缝隙导纳参数有两种方法： 一种是一端为端口一端为短路，此时，y=(1+s11)/N*(1-s11); G5K?Q+n   
                                                                                 另外一种是两边都设为端口，此时y=2*（1-s21）/N*(s21); .{*l,  
请问两种方法提取出来的电导、偏置距离和缝隙长度是一样的吗？ 两个方法是不是通用的？也就是说不管是最后的馈电方式是端馈还是中间耦合馈电两种方法都可以？  D,[Nn_N  
2、按照上面方法提取出来的电导是已经归一化的还是没有归一化的啊？为什么我试了试当虚步为0时，电导值都很小，才0.02左右。。。正常不？是说没有归一化？ ,(zV~-:9  
3、 当s11虚部为0 的时候，也就是找到缝隙谐振长度的时候，此时的s11是不是应该很小啊 .. @ =~k[
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1.两种方法算出来应该是一样的。 s9CmR]C  
2.没有归一，再*Z0就是归一化导纳了 ;#9?3Os  
3.谐振与S11大小没关系

多谢！另外，通过此种方式计算出来的电导已经是归一化的了

好高级，来学习来了

我感觉单个缝隙仿真时，辐射的能量很小，绝大部分都反射了，所以S11就很大，阵列中缝隙数量多了，辐射出的能量就变多了，所以S11相应就变小了。 mPPB"u
Q  
我仿真的波导缝隙 面阵 s+ *LVfau  
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线阵 e)-$#qW  
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