[求助]FDTD二维平面波源的加入 实现过程 如何去理解呢

FDTD二维平面波源的加入 如何去理解呢  求指点啊&nbs .. f=-!2#%  
7zz(#  

未注册仅能浏览部分内容，查看全部内容及附件请先 登录 或 注册

我先来  抛砖引玉  一下下： }JTgj  
5t1DB'K9$_  
（１）平面波的数值关系是: 保证波前（等相位面）上电场（磁场）相等。电场和磁场对应关系的统一。即： 电场除以磁场对应统一的媒质的波阻抗。(在此也要注意极化或者偏振形式）。 B[m{2XzGH  
（２） 在FDTD模拟中， 平面波的实现一般都要用 Total field/Scatteriing field （TF／SF）激励技术。TF／SF在Taflove书第三版五章中有专门介绍。 如果需要平面波只作用在一个入射面上， 最好此面是一个整体模拟空间的某个整体面，而非局部，局部就变成Windowed Plane Wave（截断平面波）， 发射后就扩散，就不是完整的平面波的照射条件了。 f`";
Q/
rG  
（３）平面波的大多数模拟应用是使用TF／SF 空间.TF／SF使用（３D）六个闭合面以激励任意极化任意入射角度。 TF／SF 空间内平面波激励出总场效应。TF／SF 空间外是纯净的散射场。 这样，物体的Sattering/Absoprtion/Extinction特性可以被良好的模拟。 uC8T!z  
（３）对于平面波只作用在一个入射面上，并且是斜入射的。首先要把波前的场映射到入射面上，并且计算出相位关系，或者时间滞后值。但是此种入射会产生入射暗区，就是有些区域没有被激励。 这需要注意。 这其中还有一个典型应用就是周期单元结构的平面波模拟。 这需要周期边界条件。周期边界的加入可以消除入射暗区。周期边界条件在Taflove书的第三版１３章中有讨论。 t;~`Lm@hY  

谢谢 有见地  那一般的二维FDTD中要实现入射波平面波 源的    这个加入过程应该如何解释理解呢 等效原理

讨论技术问题总是胜于其他无聊的网上聊天，既可互相帮助。又能得到版主积分奖励。 非常感谢， 0+i,,^x.  
>f8,YisH  
下面是我针对２楼所问的粗略想法。 !WnI`  
（１）TF／SF 好象不是等效原理。 而是总场和入射场的分离。 ZfikNQU9r  
在没有物体的情况下平面波可以完整的被推导出来。FDTD 算出总场。这个总场扣除（由激励面算法来完成）入射场之后剩下的就是纯净的散射场。入射场能量减去散射场能量就是吸收的能量。 ;mlIWn  
（２）TF／SF不仅仅用在平面波的模拟。 也可以用在其他非平面波的情况。也不一定要激励在一闭合面内， 可以只使用在一个面上。比如波导和微带线等结构： TFSF算法激励可以直接放在波导的一个横截面上。横截面上电磁场的分布是波导模式。在入射面一侧激励出的是总场。在另外一侧则是纯净的反射（散射）场。在这种情况下。 FDTD模拟一次就可以把反射和传输参数提取出来。 r
!iuwE@  
（３）采用TF／SF入射面在微波电路中只所以没有被广泛的应用。我想主要原因是多数微波电路的横截面电磁场的模式特性是准TEM波，而非单纯的TE或者TM波。这些导波的模式场色散严重（不同频率点的场分布特性大不一样）。这对宽频模拟中使用TFSF激励面是个障碍。而平面波的特性却没有这样大的色散性。所以TFSF就跟适合平面波的模拟。另外在光结构中，TFSF入射面还是被大家通用的。那里面导波的模式色散程度也不是很大。 ^SCWT\E  
*4y r7~S5  
－－－水平有限，想法不一定都正确。感谢宽容。