登 录
註 冊
论坛
微波仿真网
注册
登录论坛可查看更多信息
微波仿真论坛
>
Keysight EEsof 专区
>
ADS
>
阈值电压与Vknee电压的关系
发帖
回复
1271
阅读
0
回复
[
正在讨论
]
阈值电压与Vknee电压的关系
离线
feiyan
哪位大哥大姐知道ADS软件怎样进行版图设计。我可以通过电路生
UID :45657
注册:
2009-11-03
登录:
2012-04-14
发帖:
141
等级:
仿真二级
0楼
发表于: 2011-11-18 14:23:58
我看模电书中说mosfet的IV特性曲线可以看出,当VDS<=VGS-Vth时,是处在可变电阻去,当VDS<=VGS-Vth时,处在饱和区,而在《cmos射频集成电路》中,提到一个Vknee电压,其定义是指最大漏端电流的百分之九十五处的VDS的数值。我想知道VDS=VGS-Vth时的VDS与Vknee电压的关系和区别。还有模电书上也提及到的阈值电压VTH,我怎么判断它的值呢,当漏端电流IDS为多少数量级时,我才可以判断此时的栅源电压为VTH。我感觉这些小概念太含糊了,没有 ..
4|*H0}HOm
|7V:~MTkk&
未注册仅能浏览
部分内容
,查看
全部内容及附件
请先
登录
或
注册
共
条评分
发帖
回复