[求助]求助对消逝模吸收效果好的吸收边界

引用第1楼simwave于2011-09-29 03:02发表的 : c3*t_!@oC  
请酌情考虑以下建议: NgCuFL(Ic  
（1） 这种结构的模拟，一般网格要求设置的非常小， 因为趋肤效应的存在，趋肤深度都比较小， 所以要求网格也要小一些。  XY.5Rno4  
（2） 如果用UPML作边界，在有些情况下， 增大PML材料特性的实部值到70~100 之间 （ 就是在Taflove书中PML材料方程中的k），对吸收消逝波后者表面波会有提高。 /iNa'W5\  
（3） CPML 的原始创立者， Stephen Gedney教授认为CPML可以提高对evanescent波的吸收效率。 我用过后发现确实如此。 o}Odw;