[正在讨论]功放调试遇到一些问题，请教达人帮忙。谢过

9jaYmY]~  

引用第8楼kezman于2008-02-04 20:39发表的  :
加些PF级别的电容,比如1000P,10P,1P这些. ),bdj+wr78  
射频与直流之间的隔离效果可以用ADS仿真看下. /J{P8=x}_:  
我觉得有可能是你没有匹配好造成的

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这样哦，那我试试看吧，谢谢版主哈~~

明显存在自激不稳定现象，重点查栅极偏置电压和漏极电压间的去耦合和高频隔离。

YJ!6)d?C.  
1、检察接地，作射频放大器最重要的两项工作就是接地和匹配，看看背面的硅脂是不是太多了，最好换垫片 \W1?Qc1]  
2、检察退耦合，在栅极、漏极供电回路加22p C0G电容、10nF X5R电容、10uF钽电容，贵重的东西生产时可以不要，调试时不能不要 v5<Ext rV  
3、信号输入、输出加足够衰减输出挂至少10dB的大功率衰减器再调试 t[an,3  
4、如果还存在自激，去掉匹配电路中Q值最高的L节，逐次增加带宽 YO-O-NEP  
5、不在自激后检察频率响应，在增益的几个峰值处用电阻作波段端接，可以用仿真环境试算一下 "2=v?,'t  
6、检察自己设计的匹配电路是否造成增益曲线的剧烈波动，如果是，重新设计 vn,L),"=  
7、在调试之前应该把概念搞清楚，没有清楚的思路调试就没有意义，调试不是一个简单的试错过程

Ye(0'*-jyc  

引用第12楼jiejunfeng于2008-02-17 21:12发表的  :
1、检察接地，作射频放大器最重要的两项工作就是接地和匹配，看看背面的硅脂是不是太多了，最好换垫片 -{P)\5.L  
2、检察退耦合，在栅极、漏极供电回路加22p C0G电容、10nF X5R电容、10uF钽电容，贵重的东西生产时可以不要，调试时不能不要 e#W@ep|
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3、信号输入、输出加足够衰减输出挂至少10dB的大功率衰减器再调试 5(U.<  
4、如果还存在自激，去掉匹配电路中Q值最高的L节，逐次增加带宽 r*,]=M W  
.......

VMtR4!:q  
谢谢，受教了

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引用第12楼jiejunfeng于2008-02-17 21:12发表的  :
1、检察接地，作射频放大器最重要的两项工作就是接地和匹配，看看背面的硅脂是不是太多了，最好换垫片 i&?~QQP`  
2、检察退耦合，在栅极、漏极供电回路加22p C0G电容、10nF X5R电容、10uF钽电容，贵重的东西生产时可以不要，调试时不能不要 n287@Y4Ru  
3、信号输入、输出加足够衰减输出挂至少10dB的大功率衰减器再调试 k"L_0HK  
4、如果还存在自激，去掉匹配电路中Q值最高的L节，逐次增加带宽 o]k[l;  
.......

dn5T7a~   
硅脂是什么东西？？散热胶？ 8@Y@5)Oc  
你说的第五条看不懂。。。。

\)LY_D:  
功放背面不能用胶因为要导电，所以用硅脂什么的。参考所附的Motorola的一篇文档， xx41Qw>\W  
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文件名: Mounting Consideration for Power Semiconductors.pdf NEK;'"~  
描述: 功放 |@Z QoH  
下载链接: http://www.fs2you.com/files/17d67c21-ddee-11dc-87fe-0014221f3995/

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引用第15楼jiejunfeng于2008-02-18 14:47发表的  :
功放背面不能用胶因为要导电，所以用硅脂什么的。参考所附的Motorola的一篇文档，
文件名: Mounting Consideration for Power Semiconductors.pdf !_zmm$bR  
描述: 功放  +/AW6  
.......

m-ZVlj  
看看，感谢ing

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现在增益已经可以达到14，15了，但是工作点不稳定，漏极电流一直变化，增益也随之变化，不知道怎么样解决 StZ GKY[Q  
QfPsF@+-`7  
还有，我试着把漏极供电部分加的电解电容（刚开始为了解决自激而加上的）去掉之后发现对输出没有任何影响，那我想问，是不是匹配电路做的好就可以避免自激，完全可以不对供电电路进行滤波呢？？？？ k;BXt:jDq  
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8i_R  
 

自激 -(~OzRfYi  
从ＶＮＡ上观察是否有增益尖峰，调试电路，将这个峰值压下去． %)'# d  
如果是反馈型自激，可以加退偶电容或空间隔离等措施

输出加隔离器，输入不用加。输出端加隔离器的作用保护管子因为反射回的功率而击穿管子。一般都要输出后要加耦合检波进行采样