[求助]RFID天线测试

在台湾可透过建儒实业(METAG)去量测标签天线，他们有提供学术界免费量测，这台机器你可以去他们网页参考一下。 o F@{&  

我指的是UHF。弱弱的问下，所谓天线的临界值，是这么衡量啊？

"Threshold(临界值)量测" 这部分是为了了解其标签天线的工作频段与读取距离的特性，确定标签天线与晶片达到共轭匹配之特性。 ~E`l4'g?  

反散射用在天线上有点不对吧，是不是芯片工作损耗的能量？ K0b(D8!  
标签天线的临界值？你是指芯片的灵敏度吧，这个查datasheet，标称的一般不会错 S=o Ab&  
弄个灵敏度好的读写器（alien或者impinj），通过读写距离基本上能算出来天线的增益（这个还要考量封装的损耗） F_@PSA+  
当然，首先你还是看看阻抗匹配，这个可以在做出来天线的用探针测试 E5Z,4B  
注意这个天线的阻抗要匹配的不是芯片的阻抗，二是芯片封装后的阻抗，一般是引入的寄生电容 P=eL24j  
通过芯片的datasheet，再加上0.1-0.3PF的寄生电容才是要天线匹配的阻抗 VFRUiz/C  
6\(\  

其实我一直纳闷，如果把读写距离分为前向和反向的话，有关资料都说读写距离主要取决于从读写器到标签的的前向过程，而读写器的灵敏度相对较高，基本都比前向过程距离大。而所谓的backscatter应该是指的从标签到读写器的一个过程吧？那么backscatter cross section等参数，还是必须考察的一个参数吗？望解惑。谢谢呵呵

你说的寄生电容，是以什么样的形式存在的呢？是并联形式显示出其影响？比如：芯片阻抗为20ohm，1.2pF ，那考虑0.3pF的寄生电容的话，阻抗该为多少呢？20ohm 1.5pf？0.24pF？。谢谢。。

1. 反散射用在RFID的天线作量测取得读取距离，是很普遍的。Far-field RFID 是以背散射的方式收发讯号，如果量测标签天线与读取器之间的实际接收距离，必须取得标签天线和读取器天线的RCS，而不是以一般天线读取距离公式下去计算。 fS4 Ru  
d z\yP v~  
2.是的，我前面所说的临界值也可称灵敏度，不过是天线的灵敏度而非芯片。 xgIb4Y%  
RWZjD#5%Z  
不过最后还有个问题，您提到须在芯片再加上0.1-0.3PF的寄生电容才可达到共轭匹配，我认为这仅适合一小部份的芯片上(甚至只有一种)，因为各家厂商的芯片阻抗的不同(有低实部高虚部也有高实部低虚部的，且高低相差5-10倍)，况且有些连规格都不相同，这个做法令人不解。 RaA7 U   
>L^2Z*  

恩....读取器的灵敏度，确实会影响到收发距离，我也认为backscatter也可说是从标签到读写器的一个过程，那么我们要求读取距离不也要知道标签天线与读取器天线的RCS(Radar Cross section)。 ^ql+l~  
不晓得这样有没有回答你的问题~ ZCS{D  

额。我这么说好了，我觉得如果要完整的求解这个读写过程，我想你说的取得RCS是必要的，因为这本来就是一个完整的读写过程。但真正求取最大距离的时候，貌似使用如图中的第一个公式（3.9）就好（第二个公司算出的距离一般都小于第一个公式，当然公式只能参考，但基本理论过程应该是这样的吧？）但第一个公式里并不包含RCS啊。。。新手，谢谢指教哈。 MxY/`9>E|+  

另外，我参看了些NXP等公司的天线文档，里面设计指标里没有提及RCS这一块。基本只包括了：impedance，gain等。是他们故意隐藏关键参数？