[原创]波端口大小对特性阻抗的影响仿真总结

波导可以传导高阶模式而不能传导基模的情况么？---------------不可能 !4RWYMV"  
波导可以传导高阶模式而不传导基模的情况么？------------------无基模激励 )e+>w=t  
够严密了吧？

感谢mhzghz回复，谢谢 'j8:vq^
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<e=#F-DE  
菜鸟还有一些不明白，请问这基模激励是什么东东？实际的环境中是什么呢？ *eTqVG.  
激励就是信号源？ X"|['t  
或者激励除了和信号源本身存在关系，还与信号源与波导的耦合方式有关系？ {0Yf]FQb-a  
还请不吝赐教，谢谢

我也做过些端口阻抗的分析，感觉在CPW传输线中，高频区域的端口阻抗会出现不正常或者说很大的波动，不知道为什么，求解！

很多时候HFSS仅仅是一个辅助工具，结果的对错要靠自己判断，特别是在端口阻抗分析这块。呵呵，请各位把端口阻抗与特性阻抗的定义分清楚了。HFSS不适合求特性阻抗，误差太大。

您好，我这几天也困惑波端口尺寸问题了。想问一下，我本身在仿真时就设定的是一种模式，那怎么可能有高次模的影响呢？我想知道波端口的尺寸影响什么，难道说即使我仿真时只定义了一种模式，由于尺寸不合理而导致高次模的产生？求解

引用第34楼渭水东流于2011-04-17 16:55发表的  : azp):*f("  
您好，我这几天也困惑波端口尺寸问题了。想问一下，我本身在仿真时就设定的是一种模式，那怎么可能有高次模的影响呢？我想知道波端口的尺寸影响什么，难道说即使我仿真时只定义了一种模式，由于尺寸不合理而导致高次模的产生？求解 s};{ZAtE  

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通过合理的尺寸和材料设计可以理论上满足单模激励,但即便是单模激励仍可能被测试结构激发出高次模,如果高次模在到达各端口前凋落掉,那就不用考虑了,如果没有足够凋落,那么就对S参数产生影响,误差就得考虑~ k$R-#f;  

最近正在仿真微带线，看这个对我很有帮助

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我最近在做光电的CPW行波电极的模拟，我觉得微波的一些性质是和光波类似的。比如你提的两个问题。 [<TrS/,)>  
U%/+B]6jP  
1、我觉得waveport 或者lumped port之类的，可以看做是外部激发源，但是进入电极之前，在port上的电场在进入电极前，应该是依据进入电极的大小进行了计算的，比如进行了收敛，portfield 见图1: '0,^6'VWOV  
2、单模的计算更加的简单，因为波的本征值唯一。而多模的情况，计算复杂，多模在传输过程中也容易泄露出去，尤其是有弯曲的情况下。 f,Ghb~y  
CNx8] _2  
才用HFSS几天，很多东西不懂，这只是我个人的看法。。 Gp\ kU:}&  
Kf
-JcBsrT  
btw：怎么上传图啊。。。

可以看到端口的电场在中间信号线上的集中，我看了一篇关于port设置的说明文件，大家可以看下： Uf+%W;}  
http://wenku.baidu.com/view/c9eea6c10c22590102029df5.html

S参数的理解应该是基于传输矩阵法的。 k+pr \d~  
S（port1，port1）应该是代表着端口进入电极后的反射，可以理解为反射系数。 ^.NU|NQi'  
S（port1，port2）应该是代表着端口1到端口2的传输，可以理解为传输系数。 JcxThZP~  
Q$@I"V&G.  
这两者的应该是相关的，反射越多，传输越少。