[理论研究]CST MWS怎么看微带天线贴片和地的电流分布？

终于有威望了，感谢各位同仁。希望有机会能够见到大家。

引用楼主lmt8885于2010-11-01 19:35发表的 CST MWS怎么看微带天线贴片和地的电流分布？ : w3#`1T`N  
微带天线的贴片和地是在substrate的上下两边，是在2个平面上。请问大家怎么样才能同时看到微带天线的贴片和地上面的电流分布呢？（最好是贴片与地之外的电流都不要，只看贴片和地的电流）。 k!doIM
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之前我有试过在field monitor里面添加current density，也尝试过看H field/surface current，不知道哪种才是正确的。另外，当我选H field/surface current时，如果勾选上2D Plane--Activate（选择具体位置）的话，H field/surface current就变成H field了，表面电流就没有了。 3cu9[~K  

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我想现在可以回答楼主lmt8885的问题了。首先需要在仿真时加载H field/Surface current。然后选择希望观测的元件，在components里面，注意应该是金属或者PEC等。再选择2D/3D results里面的surface current。注意调节密度和大小。针对贴片天线来说，电流集中在贴片和地相对的一侧，也是磁场集中的一侧。法向方向垂直于是贴片或者地的表面，指向外侧。 pN$;!  
93I'cWN  
至于2D Plane -Activate的问题，我想是因为surface current 的计算需要封闭曲面的缘故，也就是surface current 是在导体外表面存在的电流。

非常感谢大家的指导，虽然还有一些看不太懂，但是现在问题已经解决了。嘻嘻，这论坛真好~~~

CST今天给我回复，确认linfenghan的理解非常正确。向linfenghan致敬。 Yg$@Wb6  
'...... the current density monitor is the displacement current density......' 2k+=kt  
fMyE&#}z  

能得到认同，真是极大的欢喜呀··感谢反馈~

前些天看大家讨论的那么激烈很想参与，但手头烦心事太多没法静下心来看，现在我也说一下自己的看法吧。 H @_eFlT t  
1.刚看到五楼的时候，完全被损耗和欧姆定律给带进去了，以至于后面linfenghan说current density 是位移电流的时候，一时都无法接受，但后来仔细想想，既然是电损耗介质又怎能使用欧姆定律？欧姆定律应该是用在导体上吧？因为只有导体才有传导电流，才会产生焦耳热~~ M,.b`1-w  
2.linfenggan最后说surface current是传导电流，个人并不认同。如果是传导电流，是场的源的话，那么按照天线辐射的原理，该表面电流应该会对天线辐射的远场有直接的影响，但是根据CST公司回复“For the calculation of the farfield the E-field values at the bounding box are taken into consideration, this is independent of the current distribution. ”远场是与该电流分布无关的。个人感觉surface current更像是与麦克斯韦方程相对应的边界条件所求出来的表面电流。因为CST是直接进行场的计算，可以求解出微带天线中的电磁场分布，而导体（贴片或者接地板）中的电场通常可近似看成零，这样根据边界条件Jse=n*(H1-H2)(导体中H2=0)，在微带天线介质跟导体接触面上必然存在表面电流，这也跟CST公司给出的Jse=n*H相符合。

个人认为，surface current是传导电流，而且也是场的源，该表面电流也确实会对天线辐射的远场有直接的影响，CST的回复的意思我理解是，远场的计算采用的是边框上的电场分布，而不是直接采用表面电流算远场（也就是惠更斯原理中的次级元，由此避免了直接采用表面电流计算时由于考虑近场所导致的计算时间加长），所以会有后面那一句“this is independent of the current distribution. ”，个人觉得意思是说远场的计算不采用表面电流，而采用边界上的次级元，但次级元是由表面电流算出来的，所以远场仍然与表面电流直接相关，同时也与Jse=n*H相符合

linfenghan还有yqtong以及其他大拿，既然对电流理解的如此透彻，能否给我点悟一下，看电流分布的奥秘在何处？zhi ning chen说，天线设计可以看电流分布。但是如何理解呢。先行谢过。

CST答复的够快啊。。。

没想到这里能有如此透彻的分析， A&lgiR*ObT  
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