[案例实践]CST MWS仿真介电常数磁导率 幅度问题

我以为你的问题是虽然幅度不等，但是曲线是成比例的，所以以为是你反演时候数值没取对。如果你的反演没错误，问题显然处在你仿真的结果上了，建议你把文献中的S参数重复出来再说。

我按文献中的参数设置，得到的s曲线和原文也是幅度上稍有差异，但我觉得这可能是程序版本和电脑的影响

首先，你怎么定义“稍有差异”？差异在什么范围内算“稍有差异”？这个“稍有”的差异对后面的计算会带来多大的影响？学术上的问题不要轻易使用“觉得”，比如：你怎么证明“稍有差异”是因为程序版本和电脑的影响？
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费心去看那个conference proceeding的人不会多，所以楼主你能不能先解释一下你这样建立模型的原理？ 9?0^ap,T  
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比如你设置不同边界条件的原因是什么？为什么一个轴是电边界，一个轴是磁边界，而Z轴是open？ gW-V=LV (  
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比如建立两个平行的waveguide port的原因是什么？你如何确定使用waveguide port可以准确地表述文章中入射波的条件？在实际测量当中，文章中提到的测量方法是什么？这个测量方法能否用两个waveguide port来准确地建模？

so，我粗略看了下你做的东西，不清楚你反演的细节。但是就你仿真S参数来说有几个问题，首先，S参数仿真不准确，你看你的曲线有振荡，说明你仿真精度不够。第二个，你的相位没有去嵌入，你要在结果处理那里把相位去嵌入到结构表面两侧的相位才是。

相位嵌入具体是什么意思？是类似Port Extension的概念么？

是这样的，LZ首先用CST仿真出一个Slab亚波长金属结构上下表面的S参数：幅度和相位，然后利用有效介质方法反演出这个Slab结构对应的一种宏观介质的介电常数和磁导率，所以S参数应该是slab上下表面的数值。她现在用波导端口计算出的S参数是距离上下表面有一定距离的值，所以必须把相位反推到表面上去，实际就是减去平面波在这段距离走过的相位吧。

嗯，微波法计算Complex Permittivity and Permeability和在微波测量中使用Port Extension我都做过，如果你描述的是正确的话，这个就是Port Extension。 !=[uT+v  
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我只是在想，楼主所用的两个waveguide port的建模方式是否能正确地反映文章中所说的incident wave。实物测量的时候是怎样的配置方式，如果是VNA两个端口间接连接结构的话，两个波导端口+Port Extension没有问题；如果实物测量不是这种方式的话，仿真能保证准确性么？

她这个模拟和实验是不一样的。实验的话，需要做成一个周期结构，然后通过微波或者光学手段测量透射和反射谱。理论上模拟这个体系应该用FDTD的周期边界条件或者频域的unit cell边界作模拟，但是某种程度上，这个结构可以用PEC+PMC代替周期边界条件，加上波导端口和周期边界条件算的是一样的，有些情况例外，好像是由于体系的对称性引起的，我不太清楚。用这种方法代替周期边界条件是CST这个软件的发明的那个教授自己用CST验证过，还有很多文献都是用的这个方法，对平面结构的这种体系基本没问题，和频率选择表面其实是一样的。

这些就高深了，我癞蛤蟆跳井，不懂。 FP0<-9DO  
我们俩讨论得挺high，楼主不见了……。也不知道她是什么意见……。

确实很深奥啊。。。我已经彻底看不懂了。。。