[建模]CST建立新材料如何设置elsilon和mue

离线uniwound

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0楼发表于: 2010-05-19 09:48:24

— (hefang) 论坛里以前的帖子有提到过相关的问题，可以查找一下。 (2010-05-19 15:34) —

关键词： CST 仿真设置

本人想做个简单的涂覆材料仿真，典型RAM的电磁参数中epsilon和mue是复数，而CST材料设置中的epsilon和mue似乎都没有虚数部分，请问有没有做过类似的仿真呢，这部分材料的设 ..

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离线hefang

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1楼发表于: 2010-05-19 15:32:51

如果你要输入复数的Permittivity和Permeability，那需要将他们的虚部换算成损耗角（Loss Tangent）。

之后，在材料的Conductivity里面的tangent delta electric和tangent delta magnetic里面填上对应的数值。

如果损耗角随频率的变化非常明显，那你需要设置Dispersion。

共1条评分

yxy0728

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2010-05-19

版主周末都不回答问题？
版主要回答问题，你做到了吗？
hefang你是CST公司的吧，说点儿有用的！
你是做天线的吗？不懂不要说外行的话！
你要是不懂就shut up！
相信我，没有你论坛会更好。

离线uniwound

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