[求助]电壁磁壁的设置

想问一下：对于电壁的话，是应该把该处元胞的电导率设为无穷（1e+7）还是直接把该元胞的电场切向 .. HG=!#-$9  
Y$Js5K@F  

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这个问题我已经解决了。。。

怎么解决的，能具体说一下吗 C6M|A3^T  

以2D_TM波为例。假如元胞中心是电场Ez，边上是磁场Hy，Hx。设置磁壁的话，直接把那条线上的切向磁场分量（可能是Hy，也可能是Hx）设为0。假如是应设置Hy为0.则迭代完主计算区域的Hy后，加一步Hy=0；注意吸收边界内部的Hy迭代完后，也要把那条线上的Hy赋值为0，不这么做的话会有反射的。

你好，我想知道为什么要做这个处理呢？如果不做会怎么样呢？

设置对称面（电壁磁壁）可以减少仿真的时间和内存需要啊。你只需要仿真一半的结构。如果不设置电壁磁壁的话，直接仿真一半的话，会不准确的，因为不做处理的话，对称面上的电场磁场不会满足要求的。你仿真一下就知道啦。

有两个建议， tSaLR90Y6  
1，可以在物体外用一个方形的盒子包裹，并且在盒子内部，物体外部的区域采用sigma无穷的方式来进行迭代，这样可以模拟非规则形状PMC，PEC边界 UOJx-o!c?  
2，1e+7可能有点小，不过你设置的理论边界条件可能已经满足要求了，如果采用（1）的方式可能要大点（我采用的是1e11)

第一条是什么意思啊？希望您给解释一下啊