功率放大器设计及小型化技术

本文将要论述的是有关砷化镓场效应管(GaAs FET)功率 1mH%H*#  
放大器的设计技巧和小型化问题。一般而言，功率放大器的设
kforu!C  
计重点在匹配电路，但对GaAs FET功率放大器而言，构成功 in-C/m#  
率放大器的其它部分特别是输入输出偏置电路，接地等问题也 wGsRS[  
是不容忽视的。由于偏置电路设计不当，会耗去调试人员大部 cK`"lxO  
分时间和精力去解决诸如稳定性问题，这些问题之所以存在， 6rN(_Oi-  
是因为高功率GaBs器件有较为复杂的外围电路， 器件本身 x;\wY'  
具有大的传输跨导，大电流引起的接地效应也是导致不稳定的 8K9$,Ii  
潜在因素。针对这些问题，下面将从偏置、匹配和接地三方面谈 *[+)7  
谈GaAs FET功率放大器的设计方法和常用技巧，这些正 .. RDM`9&V!jp  
J*fBZ.NO  

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xiexie thanks alot!!!!!!!!!!! 谢谢

呵呵，学习下～～～

非常需要这些技巧 k2AJXw  
让我少走很多路

thank you ,i'm learnning the pa

不错的资料

谢谢，学习一下

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不错  看看