[PDF]RF0907013--LDMOS功率放大器的温度特性及温补电路设计

LDMOS管是专为射频功率放 zqEMR>px  
大器设计的改进型n沟道M0SFET， cG|)z<Z  
常工作在AB类，在工作点附近具有 \BB(0Ah+t  
正的温度特性， 即在一定的栅压 U?/UW;k[  
下，当工作温度升高时，其静态电 % :?_N  
流IDo升高；当工作温度降低时，IDo }s
To,F$  
降低。一般地，当LDMOS管热沉 En@] xvE  
温度从20~C升高到IO0~C时，其静 eIVCg-l}  
态工作电流ID0变化140％；当温度 Jvi"K  
降低至01Z时，变化量也有30％。ID0 g=eYl_P6  
变化会影响系统的增益、效率和线 k+k&}8e  
性等指标，其中又以线性影响最 @V$,H/v:
 
大。因此，在工作中维持功率管(特 /Mq]WXq[V  
别是 .. M6n9>aW4  

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不错，如果能总结一下各种温补电路的优缺点可能会更好！

好

很好，good！！