[互助]HFSS仿真RFID天线的问题

本人也为这个问题郁闷了好久， A;Uc&
G  
我将hfss仿真后的Z Parameter 实部re 虚部im导出， cj>@Jx}]M  
即输入阻抗Zin=re+i*im，Z0为设置lumped port的阻抗，也为芯片的共轭阻抗，是复数， r]e{~v/  
然后通过公式   S11=|（Zin-Z0）/(Zin+Z0)|   ，再20*log10（S11） ， 用matlab画图，发现和hfss的report完全一致， BValU  
`gl?y;xC  
所以本人认为lumped port 或者wave port 的阻抗应该设置为芯片的共轭值才能与hfss保持一致， 0]>bNbLB"  
port的意义 *"^X)Y{c+l  
并不是要天线和共轭，只是天线的输入阻抗要和它比较，或者理解为天线的特征阻抗Z0， %pZT3dcK  
不知道我说清楚没有。 ?qQ{]_q1&.  
但是我还有一个问题，对于RFID标签天线，很多人导出阻抗矩阵，用公式   S11=|（Zin-conj(Z0)）/(Zin+Z0)|来计算并画图，         而认为 30h[&
Oc  
hfss计算不准确，到底是什么原因呢，希望大家讨论一下哈。

你好，你说的很有道理， hbXmIst  
公式不是  S11=｜(Zc-Z*ant)/(Zc-Zant)|, !@V]H  
你写错了吧，应该是S11=｜(Zc-Z*ant)/(Zc+Zant)|,笔误？ #cR5k@  
但是为什么不是S11=｜(Zc-Zant)/(Zc-Zant)|,课本都是这个公式啊， aR6~r^jB  
为什么要取共轭呀？ drCL7.j#L  
Vb 36R_u  

我也在仿真RFID天线的磁场，你说的tag的输入阻抗跟chip impedance我有些不太明白，是在建模时要建立tag的模型吗？