微波FET加电顺序的问题

微波FET加电的时候是先加栅压再加漏压，撤的时候是先车漏压再撤栅压的原因是 .. w\;=3C`  
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栅极就像安放在源漏之间的一个闸门，你想一下，，如果要通过闸门放水的话，当然是先开门在放水，先停水在关门，，这样在能避免门被过大的水流冲垮（当然是避免管子烧掉）

二楼讲得好啊

原因是微波mesfet的Vth是负的 d%3BJ+J  
在Vgs=0的情况下，沟道是导通的，如果你不先加栅极电压直接加漏极的话 (zBQ^97]  
管子直接就烧掉了 ={^#E?  

我上面说的错了，，楼上说的对

那是因为RF应用中加工器件栅极时导电层很薄，先加D，直接就击穿了。低频则这个问题不是很明显。

加电的顺序要看FET的类型 a,*p_:~i  
常见的射频MOSFET是增强型的，比如LDMOS，VDMOS，之类管子要先加漏极电压，再加栅压来开启FET，关闭时先关闭栅压，使FET先截止。 L'XdX\5  
而微波频段用的很多砷化镓FET，这类期间是负压偏置，0偏时漏极电流最大，所以必须先加负压，再开漏压

楼主说是微波FET，也没说就是MESFET啊，不可以是MOSFET吗？所以二楼的说法…… ?Wg{oB@(  
我个人的理解是先加栅压，让沟道出于导通状态，再加漏压，驱动载流子从源极往漏极运动，形成电流。反之，先撤漏压，相当于撤除了载流子输送的动力，在撤栅压，关闭导通的沟道。 wK'!xH^  
n<<=sj$\!  
和2楼的说法类似。不知道对不对……

不管是MESFET还是HEMT器件，目前有两种类型：增强型和耗尽型。 gFs/012{  
对于耗尽型器件，在没有外加栅压的情况下，载流子流经的沟道是开启的，这时要先加一个负的栅压使其关闭，然后再加漏压，如果顺序颠倒，则可能会产生非常大的电流，把管子烧掉。 G/z\^Q  
而对于增强型器件，在没有外加栅压的情况下，沟道是关闭的，加电压顺序则与耗尽型器件相反。

补充：主要是为了保护器件，防止产生过大电流