固态太赫兹源的研究

虽然并不是所有的固态THz源均有毫瓦量级的平均功率输出但是却具有其他一些有用的特性。用于高功率微波源的倍频器是一种成熟、紧凑的器件，它室温工作且可以覆盖0.1-1THz频段，但高次倍频时固有的转换损耗很大且很难处理大功率输入导致的倍频器输出功率随输出频率的提高而迅速降低这一问题。因此，当混频器工作在1THz附近时，其输出功率只有10muW左右。同样，工作在室温条件下的光导半导体开关近红外激光器混频可产生频率在几个THz范围内可调，在1THz以下功率可达毫瓦的THz波。最近有报道称工作在2.7THz附近的P-Ge激光器脉冲功率可达100W，不过这种激光器要求很大的磁场，工作温度低于15K且重复频率很低。 S#tY@h@XV  
固态THz技术主要集中在单个器件的研究。当前主要集中在探测器的灵敏度，源的功率，微电子材料的工作温度和批量生产的方法。如果能按现有的步伐前进，THz将继微波和红外谱成为又一段重要的电磁波谱。 U9 #w  
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2002年，固态太赫兹源取得了突破性进展，Kohler等人报道了THz量子级联激光器（QCL）,通过采用成熟的半导体异质结技术在半导体中引入一种人工合成的能带结构， QCL 成功突破了半导体能带在光子器件上的限制。从2002年开始，QCL在工作频率、输出功率和工作温度等方面取得了很大的进步。当前，QCL是唯一一种在1THz以上平均功率大于10mW的相干固态THz源。据报道，工作温度为10K时，工作在4.4THz 的QCL连续波功率可达138mW。QCL的输出功率随工作温度提高而减小，但是 .. 1RLym9JN  
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这么好的文章怎么没人顶？ 0]B(a  
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