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[射频]AIGaN／GaN H EMT功率放大器设计

离线lottak

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0楼发表于: 2009-08-04 14:47:07

关键词： ADS 微波放大器端口

摘要：在小信号S参数不适于微波功率放大器的设计而大信号S参数不易获得的情况下，利用ADS软
件，采用负载牵引法和输入端共轭匹配，成功的设计出A1GaN／GaN HEMT微波功率放大器。为了解决
晶体管端口出现负阻的问题，设计了输入输出端并联电阻和反馈网络两种方法，最后得到理想的结果为：
工作绝对稳定，带宽3．6GHz～8．0GHz，最高增益11.04dB，最大输出功率33dBm，最大PAE达到29．2% ，
电压驻波比较小。
关键词：高电子迁移率场效应晶体管；功率 ..

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RF0907004--AIGaN／GaN HEMT功率放大器设计.pdf (2016 K) 下载次数:233

离线gnifengyu

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1楼发表于: 2009-08-04 19:04:54

看看！！！ADS仿真功放管

离线lei_sy

努力就有希望！！

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2楼发表于: 2009-08-16 10:35:25

比较感兴趣的话题

努力就有希望！！

离线lei_sy

努力就有希望！！

UID ：10757

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等级：仿真三级

3楼发表于: 2009-08-16 10:36:06

学习后有问题再请教

努力就有希望！！

离线ccml_ming

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4楼发表于: 2009-10-05 19:15:42

顶！！！！！！！！

附件:

VHF1_6kW全固态功率放大器功率合成链分析.pdf (200 K) 下载次数:23

离线qingshuiye

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5楼发表于: 2009-11-12 14:37:14

想补充这方面的知识，感谢共享！

离线qingshuiye

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6楼发表于: 2009-11-12 14:40:13

正需要啊，谢谢共享！

离线qingshuiye

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7楼发表于: 2009-11-12 14:42:16

多谢共享，谢谢！

离线ysmdevil

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8楼发表于: 2009-12-07 22:31:38

很感兴趣，希望能学习

离线wisher

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9楼发表于: 2009-12-15 10:24:10

正在干这一行，刚接触

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