[正在讨论]关于PML层的设置问题

我现在正在求一个有关周期结构的问题.要设置PML层,请问设置PML层是点击Boundaries--PML Setup Wizard,又请问设置的时候PML层的厚度多少合适,有个什么厚度依据吗?,还有,其中的Basse Face Radiation Properties中的三个选项Radiating Only  $&96qsr  
                                                    Incident Field a a=GW%  
                                                    Reference for .. #7IM#tc@  
,%#FK|  

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Radiating Only 是定义的PML 层只作为吸收边界使用。 ;LRY h?  
Incident/Enforced Field 是在引入场时作为目标边界使用。 ;uj&j1  
Reference for Frequency-Selective Surface(FSS) 是在吸收边界面上求解S参数。 >J+'hm@  
U}ei2q\  
另：在做近场引入时，设定为Enforced Field 。那是不是远场引入时设定为Incident Field ？只是猜想的，因为只做过近场引入，也没用过Incident Field的设置，还请达人帮忙解释一下？

请问设置PML层是点击Boundaries--PML Setup Wizard

请问设置PML层是点击Boundaries--PML Setup Wizard? Sq<ds}o'8l  
回答是的. M3m)uiz  
我还另外想问大家 flyrock:提到:"Reference for Frequency-Selective Surface(FSS) 是在吸收边界面上求解S参数" hIBW$  
怎么设置才能的到S? -hy`Np  
我简单做了个模型放在波导里,一个端口施加波端口激励，另外一个端口置吸收边界PML(FSS),出现错误提示: {Xr|L  
Ports are incompatible with using a Radiation surfaces as an FSS reference. HN
XMM  
You have indicated that a Radiation surface is an FSS reference,but there is no Master/Slave boundary pair defined. 9):h %o  
|
|p>O  
根据提示,是不是断口处不能直接加PML(FSS),还需要设置Master/Slave 边界?要加Master/Slave 边界是不是要在波导断口和PML之间加上空气盒来设置的呀?

吸收边界的S参数求解一般是以其他激励方式相配合使用的，最常用的是平面波激励。目的就是在非波导模型中求出类似反射率这样的参数。如果定义波导端口激励，还定义FSS，那就失去意义了，因为波导端口本身就能提供S参数。 fkHCfcU  
另：用FSS求得的S参数只有模值，是个实数。

引用第1楼flyrock于2007-06-04 17:25发表的  : Fq
`wx  
Radiating Only 是定义的PML 层只作为吸收边界使用。 wPRs.(]_  
Incident/Enforced Field 是在引入场时作为目标边界使用。 .4cOMiG  
Reference for Frequency-Selective Surface(FSS) 是在吸收边界面上求解S参数。
另：在做近场引入时，设定为Enforced Field 。那是不是远场引入时设定为Incident Field ？只是猜想的，因为只做过近场引入，也没用过Incident Field的设置，还请达人帮忙解释一下？

(cpaMn@)g  
".......引入场时作为目标边界使用"不懂,引入什么"场","目标边界"怎么理解呢? s]@k,
%  
".......在吸收边界面上求解S参数。"大家有具体的实例么?

难道没人知道如何设置PML层的厚度吗?不可能是没有规定的而任意厚度的,请达人指点.

引用第5楼peiding76于2007-06-06 22:42发表的  :
".......引入场时作为目标边界使用"不懂,引入什么"场","目标边界"怎么理解呢? }ST0?_0F*  
".......在吸收边界面上求解S参数。"大家有具体的实例么?

J&IFn/JK$  
1、引入场是在10.0版本以后在incident wave 里面加入的新的激励源，包括far field wave和near field wave。简单的说就是把已有的场分布（比如已有的天线仿真结果）引入到新project当中，这样对于复杂模型可以大大减小仿真的负担。在引入的时候需要指定一个源（source design ）和一个目标（target design ），如果源和目标的位置不同，可以通过旋转和平移来调整（但是据我所作的仿真结果来看，这种坐标变换会给结果带来不可预知的误差，最好的解决办法是不进行左边变换，即把把源和目标建立在相同位置，怀疑是系统的bug），对于具体设置在HFSS的帮助文件中有些比较详细的说明。 &_!g|-  
2、用吸收边界上求解S参数，在帮助文献中并没有提到一定要和M/S边界配合使用，不过像楼主所说，不加M/S边界会出现错误提示，我想到的例子是通过M/S边界计算无限大平板型材料（或材料阵列）的反射系数或投射系数，因为这样的问题一般都是用平面波激励的。我曾用这种方式求过吸波材料阵列的反射率。

引用第6楼ligaoqian于2007-06-07 10:07发表的  : fNi&1J-/  
难道没人知道如何设置PML层的厚度吗?不可能是没有规定的而任意厚度的,请达人指点.

0 mWfR8h0  
PML的厚度，我一般都是用默认的，从理论上，反射率应该是随着厚度的增加而降低的，但随之会带来更大的运算量。

pml不是完美匹配层吗？看来也不是那么完美。还与它的厚度有关吗？不明白~~ O'm&S?>  
不知道这个层里的场是怎么样的，它到底起什么作用。