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[互助]关于内匹配的功放管的调试问题

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0楼发表于: 2009-03-04 21:18:08

做X波段的功放电路，管子是内匹配的，输入输出参数给的也是50欧姆，制作的栅极和漏极电路在ADS和HFSS仿真都是50欧姆，实际测量也差不多，但加上管子出功率就不平了，而且增益也不够，在50欧姆微带线上加了些“片片”，马上改善了，且很完美，不知道原因。

事后查了查资料，管子资料里附带的S11,S22的阻抗的史密斯圆图，并不是50欧姆，且全频带上差的很远。

那我做的输入输出电路到底要不要是纯50欧姆呢？

小弟是新 ..

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离线kezman

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1楼发表于: 2009-03-04 22:05:26

内匹配管资料上给的测试指标都是在50ohm系统情况下测的，所谓的内匹配管也不可能是完全匹配到50ohm的，按照datasheet上来搭就可以了。
不知道你用的器件具体是什么封装形式，如果是下沉式的FET管，那安装要求就会比较高。

离线zoarbary

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2楼发表于: 2009-03-05 11:18:35

功率大了以后，功放管很难在全频带内匹配吧

他们都叫我大Z

离线avic607

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3楼发表于: 2009-03-10 21:46:11

问题基本解决了，只是更换主路上的隔值电容的大小。从10P变到470P，单管测试在1GHz的带宽内基本保持0.7dB的平坦度。不过损耗大于1dB。用矢网测试过输入输出电路，差损为-0.4dB，与软件仿真结果差距较大，各位有没有些建议，谢谢！

离线kezman

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4楼发表于: 2009-03-11 12:59:42

X波段的管子可以用470P那么大的隔直电容吗？损耗大的原因可能是你采用的电容容值太大，串联谐振频率比较低，相应的串联ESR会比较大。而且当通过功率比较大的时候，电容发热会造成电容损耗变大，所以你用矢网测出来的损耗不一定准确。
建议选用较好的高Q电容（如ATC和DLI），容值为1-10p之间，且可以尽量让工作频率落在电容的串联谐振频率附近；或者是采用分布参数的叉指电容

离线avic607

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5楼发表于: 2009-03-15 21:32:55

回复楼上：我用的是ATC100B的电容，试用过1-10P的，但现象就跟我1楼描述的一样，功率出不来。而然跟换了个大容值的电容，效果就出来。后来又跟换ATC600F系列，试用的是100P的（目前手上最大的只有这个），效果稍微好些，但不明显。100B谐振频率低，ESR大，相比600F。后来更换了另一家电容（牌子忘记了，国外的），买的时候代理说是比对ATC100B的性能做的，效果更好，试用的结果确实有改善，但一样不明显。原因嘛，我也不知道了。

离线kezman

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6楼发表于: 2009-03-15 23:21:13

600F可以用，换成1-10P的试试，功率应该能出来

离线avic607

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7楼发表于: 2009-03-21 22:00:47

600F的1-10P的试过了，不怎么好。还有就是我上面忘记的那家电容厂家就是DLI的，呵呵。找ATC的人来，推荐了600S和500S，试用了1-10P的，效果不错，谢谢kezman

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