[求助]大家知道如何计算RFID天线的增益吗？

仿真软件如HFSS和IE3D似乎只能计算50ohm天线的增益，对于象RFID这种复阻抗的天线，计算出的增益感觉是错的，除了实测外有没有办法能够计算 .. 4g6ksdFQ  
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我认为，天线的增益跟阻抗是否为50欧没关系！ 10C 2=  
增益的定义是：在输入功率相同的条件下，天线在某方向、某点产生的场强的平方与点源天线在同方向同一点产生的场强的平方的比值。 X5uS>V%/  
也可以说，增益是描述天线把accepted Power转化为空间电磁场的能力。 Q'Jv}'eK_  
增益Gain显然不是S11的函数。是一个跟阻抗匹配无关的量。 Ni2]6U  
所以，HFSS仿真得到的增益就是天线的增益。

在HFSS里，有两个增益：gain和realized gain。其中gain=D*Prad/Pin，D为方向性系数，Prad为辐射出去的功率，Pin为输入功率，这里是不考虑能量反射的。而realized gain=D*Prad/Pacc，Pacc为天线接收的功率，即Pin减去反射掉的功率，因此gain是和s11无关的，而realized gain是和s11有关的，当s11比较小时，gain和realized gain几乎相等。我想知道的是，HFSS在计算s11的时候应该是用的|s11|=(Z0-ZL)/(Z0+ZL)，但由于RFID天线不是50欧的，因此这里的Z0和ZL都不是50欧的，所以计算出的S11是不准确的，最后如何知道realized gain?

S11不准确么？个人感觉仿真和实际上的也差不了多少

RFID天线中是用功率反射系数来表征反射波的，功率反射系数定义为M=|(Za-Zc*)/(Za+Zc)|^2，其中Za是天线阻抗，Zc是芯片阻抗，*表示共轭，这里M的定义和通常50欧姆天线的S11定义不一样，而HFSS里用的是S11而不是M，因此我认为反射系数的计算是不对的，导致realized gain的计算也不对。不知道我的理解对不对？是不是应该先用HFSS计算出tag天线的gain，然后再乘以1-M，才是实际测量到的gain？不知道有没有做过这种天线的可以解释下

我仿真的时候S11已经很小了，但是Realized Gain比Gain小了近10dB，实测的时候应该是Gain更符合测量的结果 仿真的也是个RFID天线，楼上的说法很有可能是正确的，至少Realized Gain在我的仿真中是不准确的

你说的S11是直接在HFSS里看的那个S11吗？我觉得就是那个S11不是真实的S11，所以我都是只看输入阻抗调，但我不确定天线的真实增益到底是多少

把实物拿来建模仿过，差别不是很大，带宽和频率肯定不一样，但是可以认为S11应该是正确的

我不知道是自己的理解有问题还是哪里设置不对。如果可以的话，可否把你的模型发给我参考一下，我也可以把我仿的让你帮看一下。我的邮箱是[url=mailto:druiyun@tom.com]druiyun@tom.com[/url]，谢谢！

那ADS仿真得到标签天线的增益和s11是否准确呢？