[RFEDA原创]用FDTD计算微带线时的激励源设置方法（续）含图、代码和解释

是啊，我也这么觉得。 &W/C2cpmR  
技术分或者rf币，并不是财产。 ow:}NI  
象我们当这个版主，也仅仅是热心，希望下面的师弟师妹们少走点弯路，或者更快的上手。 F@Bh>Vb  
讨论问题永远是最好的。 HfN-WYiR  

引用第9楼quartz于2008-12-11 04:03发表的  : I#(D.\P  
论坛应该鼓励共享和讨论。

买不起啊 ?b, eZ+t  
真不厚道 ]5D?Sc#-  
是技术分啊

谢谢群主，希望有机会跟你一起交流

想问一下，这个微带线应该延伸到吸收层里面吗？哪么源也在里面吗。我用的是高斯脉冲源

微带线应该延伸到吸收层里面吗？     是的。 JT&CJ&#[h  
-N^}1^gA  
源也在里面吗？  不。源在FDTD计算域中。

能不能说详细点呀！！微带线在吸收层里面，而源平面不在，那就是说，激励源平面没在微带线的端口了？？有些资料说源平面设在边界上，是什么边界？而且源平面是个电壁，除了在微带线与接地平面之间加入高斯意外，在源面上的其他切向分量全设为零，你认为这样设置对不？我这样检验了一下，可是结果还是不理想。不知道源到底加在什么地方？？怎么处理的？正苦恼着呢帮帮忙？？