二阶mur边界吸收条件为什么发散了

大家好！我是fdtd新手 ，编了一个电磁波在矩形波导中传播的fdtd代码。开始的时候截断边界也是PEC，虽然有点发散，但在1000个时间步里还可以忍受。现在我学习二阶mur边界吸收条件，于是在原程序的基础上在截断处加了二阶mur，但是当电磁波一到截断边界就发散相当厉害，值变得很大。如图： UjOhaj "h  
第165步，电场最大值为1.365 'f7 *RSKqb  
~+ wamX3  
第264步，电场最大值为3.650 o'C.,ic?C  
# pB:LPEsK  
第363步，电场最大值为285.3 0_mvz%[J  
KBqaI((  
*b{lL5  
以下是部分二阶mur边界条件代码，没有包含棱边 tB=D&L3  
do i=x2,x2,1
$jh>zf  
     do j=1,(ny-1),1 b Ne\{k  
        do k=1,(nz-1),1 H8]^f=  
           ey(i,j,k) = -ey_scratch(i-1,j,k) + (LIGHT_SPEED*dt-dx)*(ey(i-1,j,k)+ey_scratch(i,j,k))/(LIGHT_SPEED*dt+dx)+2*dx*(ey_current(i,j,k)+ey_current(i-1,j,k))/(LIGHT_SPEED*dt+dx)+dx*LIGHT_SPEED*dt*LIGHT_SPEED*dt*(ey_current(i,j+1,k)-2*ey_current(i,j,k)+ey_current(i,j-1,k)+ey_current(i-1,j+1,k)-2*ey_current(i-1,j,k)+ey_current(i-1,j-1,k-1))/(2*dy*dy*(LIGHT_SPEED*dt+dx))+dx*LIGHT_SPEED*dt*LIGHT_SPEED*dt*(ey_current(i,j,k+1)-2*ey_current(i,j,k)+ey_current(i,j,k-1)-ey_current(i-1,j,k+1)-2*ey_current(i-1,j,k)+ey_current(i-1,j,k-1))/(2*dz*dz*(LIGHT_SPEED*dt+dx)) { DQE7kI  
               ez(i,j,k) = -ez_scratch(i-1,j,k) + (LIGHT_SPEED*dt-dx)*(ez(i-1,j,k)+ez_scratch(i,j,k))/(LIGHT_SPEED*dt+dx)+2*dx*(ez_current(i,j,k)+ez_current(i-1,j,k))/(LIGHT_SPEED*dt+dx)+dx*LIGHT_SPEED*dt*LIGHT_SPEED*dt*(ez_current(i,j+1,k)-2*ez_current(i,j,k)+ez_current(i,j-1,k)+ez_current(i-1,j+1,k)-2*ez_current(i-1,j,k)+ez_current(i-1,j-1,k-1))/(2*dy*dy*(LIGHT_SPEED*dt+dx))+dx*LIGHT_SPEED*dt*LIGHT_SPEED*dt*(ez_current(i,j,k+1)-2*ez_current(i,j,k)+ez_current(i,j,k-1)-ez_current(i-1,j,k+1)-2*ez_current(i-1,j,k)+ez_current(i-1,j,k-1))/(2*dz*dz*(LIGH .. @dCPa7:>&  
_xgVuJ  

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应该不会有太大问题的呀。你的code没有仔细看过。可以参考葛德彪老师的书。我用过MUR边界和PML边界，貌似都没有出现过发散情况的。 !/n
x=vgp  
我猜想问题主要1、上界、下界又没有错；2、是否有点重复计算了；3、是否归一化了 0Ox|^V  
希望对你有帮助

谢谢！我就是按照葛德彪老师书上的讲解写下代码。我会按照你的建议马上作检查，谢谢！

关于Mur2发散问题，确实存在，包括PML也会发散 ;7Y[c}V1^  
你上面波导问题仿真用MUR吸收边界作为端口匹配，肯定要发散的，知道Mur2的截断误差与入射角有关，就可以明白端口的波数值色散严重不一致

我前久也编了个算散射问题的3维FDTD，用的2阶Mur，也会在散射场快没时的几千步的时候是会发散到非常大，找了很久不清楚是什么问题，请问这是2阶Mur固有的发散吗？

也不是，以前用算球的时候用2阶Mur，没有发现很明显的发散现象。和葛德彪老师书上的例子的图是一致的。这个要仔细检查下，容易出错的。

MUR2吸收边界如果离区域内的金属导体比较近（如5个网格以内），吸收边界很容易发生发散，原因可能如下 hj'(*ND7z  
可能是Mur2吸收边界反射的波比较大，与近距离的导体间发生谐振，再加上Mur2吸收与入射角度敏感，对反射到边界的场的吸收效果也不一样，造成来回反射，导致发散。暂时这么理解

引用第6楼cem-uestc于2008-10-08 17:34发表的  : ))"6ern  
MUR2吸收边界如果离区域内的金属导体比较近（如5个网格以内），吸收边界很容易发生发散，原因可能如下 #w' k
V#  
可能是Mur2吸收边界反射的波比较大，与近距离的导体间发生谐振，再加上Mur2吸收与入射角度敏感，对反射到边界的场的吸收效果也不一样，造成来回反射，导致发散。暂时这么理解

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Le\?+h42>  
我的mur2就加在矩形波导的另外一端，的确是挨着金属导体的。从可视化分析来看，电磁波一到达mur2边界就出现电场值剧增的情况。另mur2受入射角度影响的作用具体有多大？怎么分析？ k7T`bYv  
iv4H#rJ  
谢谢！

**_current(*,*,*)这里面的值你是怎么处理的？内一层好说，外面的一层上怎么处理的？最近俺也一直在编这个程序，但是总是吸收边界不理想！请教了！

这在计算电磁学书上有分析。 n8~N$tDU  
还有，波导传播的电磁波是严重色散的电磁波，不能用MUr边界