[版主推荐]EM仿真

我是从MWO中倒出DXF,然后再倒入CST.

不好意思,我不会贴图,所以压缩了一下:CST仿真结果.只取了四条曲线,其余的类似. 'oGMr=gp<&  
S11:输入回波 EAh|$~X  
S21:插损 (7_ezWSl>  
S22:输出回波 m[l&&(+J,  
S42:隔离 iYa)*,  
S.rar (39 K) 下载次数:10

遇到了一个问题，MLine  加入 thin film resistor 没有什么问题，  你的设计是 stripline    实际你是想如何实现 这个电阻？  我对stripline 没有做过它的实物，可能了解上不是很多，局限于原理吧。 M sQ>eSk
 
RgTrj  
我检索了一下，stripline实现divider的文章，也没有发现什么比较系统说明得很清晰的。 q>Kzl/~c.P  

刚回来，看来话不能说阿，说不出意外，晚饭和朋友出去，现在1点了才回来。 明天继续。 Y}v3
J(l  
DrkTM<  
走前看的是，如果要定义材料来实现隔离阻抗的话，和尺寸是有关系的。  比如1x1 mm BhzDV
 
*$W&jfW  
而你CST里面定义的thin film resistor ，这个是一个你定义的值。 GPK\nz
}  
vM6W64S  
mwo里面你可以看一下  MLine里面有TFR的，而我在 stripline里面没有看到这个。 cl2_"O  
因为从实际的角度来说  Stripline你怎么放阿？  microstipe line 你可以 贴片上去，而stripline是在中间你根本不能使用 TFR, 所以 即使你在CST里面仿真了，实现也不可能是那个实现方式。所以我才问出上面的问题。 M@{#yEP  
`H6~<9r  
不过 对于本贴的问题，本来我是想晚上做个简单得比较试验，那样肯定可以弄请问题，也就是弄清mwo里面 这个阻抗的定义到底是什么含义。 Mh4MaLw  
.WqqP  
不过确实没时间了，我要回去睡觉了。  很好的问题，明天继续。     大家晚安。

森森辛苦了，分析的有道理。

呵呵,辛苦了. bw P=f.  
看来带状线的功分器在MWO中不能加隔离电阻了. j&d5tgLB  
在CST中,我加的是集总电阻,如果要加薄膜电阻等,可以通过布尔操作来实现.

今天查看 mwo的帮助，又看了一下 ， 具体摘出如下 U=n7RPw  
(D>_O$o  
Impedances define the resistive (low and high frequency) properties of a material. The Low frequency parameter specifies the DC resistance (ohms/square) of the planar conductor 0 +=sBk (  
}Ng P`m  
关键的地方我用了加重，所以从你的设计来看，阻抗的定义是不对的，要比你定义的100大出好多倍，所以你可以计算并修改一下，看看应该定义为多少ohm，然后再重新进行一下仿真。 !Z$d<~Mq q  
c-+NWC  
这里顺便提一下 关于mwo这类型的定义cell的问题，我现在的方法是  根据 结构中线的宽度，整体结构的宽度等，对他们进行 最大公约数计算，这样得到的这个值，就可以作为cell的值，当然x, y 是分开计算的。 :HY$x  
:&BPKqKp  
如果觉得这个值 过大，只要对其进行 除法就可以了，比如除2，3，4等等。 最后定义的结构就不会有什么问题了，虽然看起来是麻烦了一点，不过也还是值得的。

你摘出的一节,我也看过.我们以软件自带的例子来看:ressq设为100,应该理解为100Ω/mil^2,再看它的电阻面积为110mil^2,那么我们求出的电阻为11000Ω?按道理应该是100Ω.我不清楚里面还有什么换算关系.

引用第17楼wlyh999于2008-09-03 15:38发表的  : "dpjxH=xO  
你摘出的一节,我也看过.我们以软件自带的例子来看:ressq设为100,应该理解为100Ω/mil^2,再看它的电阻面积为110mil^2,那么我们求出的电阻为11000Ω?按道理应该是100Ω.我不清楚里面还有什么换算关系.

SS/vw%  
!Yc:yF  
这个地方，它定义的square，你可以看一下例子，例子的那个虽然不是绝对的正方形，但是很接近，长/宽 = 11/10，所以按照定义应该是小于但接近100ohm。 ^fF#Ej1  

J`g5Qn@S  
你可以把例子和你的文件传给sonnet来进行仿真，然后对比一下。
cyNE}  
u(zgKoF9A  
因为你的结构大小差异比较大，所以直接用sonnet默认的mesh，仿真时间比较长。不过这样做肯定是没有问题的，你可以试一下。

我设置了一下sonnet的mesh，然后仿了一个1/2也就是单独仿看效果。 +~:OUR*>  
2dB]Lw@s  
一个是 设置阻抗值为１００，也就是　认为这个值是绝对不变的。 Wwr  

描述:100ohm

图片:EM1.jpg

zmu+un"\j  
r}(mjC"o  
另一个，按照说法根据正方形规则，计算得的　阻抗值应该为１６．７ｏｈｍ，所以我设阻值为１６．７ $tc1te  

描述:16.7ohm

图片:EM2.jpg

p/l">d]+  
"~zLG"  
两次的结果可以从图中看出来，很明显隔离度上１６．７的要明显好于１００那个，所以　阻抗／正方形　　这个规则是没错的．