[原创教程][EMC仿真系列之一] 使用HFSS仿真研究孔缝耦合

版主这张图是在屏蔽体中点处即normalizeddistance为0.5的地方，sweeps标签中选第二个单选钮即sweep design and。。。在下边的列框中把第一个name设成freq是频率成为primary sweep，并选右边的all uses（上张图这个地方一样） AUq?<Vg\  
在x标签中不选use primary sweep在下边的列表中做如下设置category为variables，，quantity为freq，，function为none，y标签前两个选项和你的一样，只是把function设成none。出来这样的图。为什么，从1ghz开始都是负的呢，意思就是为什么从1ghz开始此处的场强就大于10000v/m。这与另一张图----------此处场强随品率变化的图，不符合。 lk'RWy"pw  
这两张图如下！！！！！！！！！！！！

你使用的是我给出的公式吗？ &0g,Xkr  
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首先你要了解屏蔽效能的定义和计算方法。 gY9"!IVe+  
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另外，如果只是计算某一个点的话，由于在屏蔽腔的某些频点为谐振点，会出现驻波，导致一些点的场很强，而某些点很弱，因此计算屏蔽效能时我使用了平均的方法。你的第二张给出的是绝对场强，我家里的机子比较慢，没有计算结果，所以没法给你解释。不过如果你2个图给出的是同一点的曲线，肯定不对了，你再仔细看看吧

谢谢斑竹了。 `?JgHk  
Eff=-20*log10（Mag_E）。 Jj:6 c  
这是您的公式，这里边的mag-e是绝对电场吗？？这个公式和您给出的屏蔽效能公式不太一样，括号内没有除以入射场吧。以上是我的个人认识，有不对的还请指教。谢谢。

呵呵，上面的兄弟，入射场默认就是1v/m嘛，

我设的是10000v/m。这样可以设吗？给指点指点。谢谢楼上的了。

可以啊，如果设1000就需要在表达式里面除上1000，

版主我终于搞明白了，你没有除，因为你设的是1v/m。我设的是10000v/m。我没有除以10000，所以出来的图不符合。谢谢楼上的。十分感激。

按照首席的办法做的曲线，为什么总是水平直线呀，这是我做的屏蔽效能曲线。在ployline上面100个点的100条屏蔽效能曲线

默认按归一化距离画线，100个点都是重复的平均值。 2^h27A  
"{@A5A  
要把频率移动到第一位

卖得好贵，先看看我有多少钱