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[分享]UltraEM®研究NTN和PGS对Q值的影响

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0楼发表于: 2023-08-25 17:28:24

此仿真实例用UltraEM®来研究接地屏蔽层(PGS)以及NTN层的改变对器件Q值造成的影响。PGS和NTN对器件起到的作用都是提高Q值。PGS是接地屏蔽层，其上结构与电感线圈垂直，通过减少金属层与地板之间的耦合起到屏蔽作用；加NTN则会将工艺衬底的掺杂硅换成导电率更低的本征硅，减小了介质损耗角正切，从而降低了能量的损失，起到屏蔽的作用。

本次测试使用的三个实例分别是：
     1. CMOS工艺的对称螺旋电感；
     2. 在1的基础上添加一个接地屏蔽层；
     3. 在1的基础上更改衬底材料为本征硅。
将三个实例放入UltraEM®仿真并对比其Q值变化。
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rficdesign	rf币 +30	优秀资料+RF币	2024-05-28
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