[正在讨论]HFSS 周期边界大角度扫描与有限阵列仿真结果不一致

大家好，在仿真紧耦合天线阵列时遇到了一些问题：想要验证阵列在大扫描角下的驻波特性，于是使用了周期边界并设置扫描角。该结果与有限阵列扫描结果相差较大（周期边界顶部的吸波边界用Floquet Port与PML结果相差不大，应该不是吸波边界设置的问题）。想请教各位在仿真阵列时是否遇到过同样问题？这是模型设置不正确还是由于周期边界本身不适合去仿真斜入射情况导致？ `:0Auw9h  
模型已上传，如果大家有其他建议也请不吝赐教。 +lf`Dd3  
请输入描述 Project2.rar (100 K) 下载次数:54 模型文件
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帮顶！随便请教个基础问题：Floquet Port在Zmax平面的左下角，高度和Zmax相同。想问：Zmax和Floquet Port是什么意思？干什么用的？谢谢~

       已破案！大家下载我上传的模型可以发现有限阵扫描的虽然具有梯度相位差但它和频率是无关的，也就是说这个模型5GHz扫到30°但在其他频点扫描角就会变化。然而周期边界中的扫描角随频率始终锁定在某一角度，为了达到同样效果有限阵扫描必须频率相关，写法为  2*pi*freq/c0*2*length_dipole*sin(scan_theta)*n   ，式中2*length_dipole为单元间距，n为相位梯度。 `"#hhKG  
       结论为：周期边界条件在大扫描角下没得问题，依然具有很强的参考性！ !R[~Z7b6  
       B@8lD\  
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1楼你好，Floquet端口是配合周期边界使用，共同仿真无限大阵列所使用的端口，可以作为激励源或吸波边界使用，具体可参考HFSS help的2567页。你说的Zmax我不太清楚什么意思，方便的话可以上个图，发贴不够不能引用回复。

谢谢楼主

感谢分享，学习了

谢谢分享，学习了