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[资料]单片 3-D IC 的垂直 MOSFET 和电热分析(PDF下载)

智者不锐，慧者不傲。

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0楼发表于: 2021-12-19 12:18:41

[post]该文提出了一种基于氧化层通孔 (TOV) 技术的创新垂直 MOSFET，用于基于绝缘体上硅 (SOI) 的单片 3-D IC。对所提出的垂直 MOSFET 进行了数值研究。结果表明，SOI可以有效降低衬底的寄生电容、漏电流、功耗，以及抑制脉冲电流干扰。仿真结果表明，所提出的 MOSFET 在饱和电流超过 1500 μA、亚阈值摆幅为 69 mV/dec 和开/关电流比为 1.28 × 1011 方面具有优异的特性。此外，由于温度是性能的关键因素针对半导体器件的退化，进行电热模拟以预测自热效应对器件特性的影响。结果表明器件特性略有恶化，但在其应用中仍然可以接受。

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rficdesign	rf币 +30	优秀资料+RF币	03-04
rficdesign	技术分 +1	感谢您提供的资料，期待您继续分享！	2022-07-26
rocketsci	rf币 +11	感谢您提供的资料，期待您继续分享！	2021-12-21