[转载]【ANSYS 培训视频分享】在去耦电容优化中如何考虑直流偏置与温度的影响

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原创： ANSYS   E|O&bUMh  
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视频简介： EC+t-:a]  
去耦电容的优化对电源完整性和电磁辐射的控制有巨大影响，而传统的电容优化仿真无法考虑电容直流偏置以及环境温度对电容性能的影响的，因此在多电压系统和高温环境下无法准确评估系统的最终性能。 #xIg(nG  
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ANSYS SIWAVE中内置的新电容模型，突破了传统S参数模型的局限，结合SIWAVE本身的直流仿真结果和ANSYS ICEPAK的热仿真结果，能够自动展现对电容真实性能随直流偏置和温度变化的影响，从而帮助用户在复杂场景下找到最佳的电容优化策略。本流程除了可以结合ANSYS ICEPAK仿真的温度分布，还支持由用户指定电容的不同温度状态，从而在设计初期就实现快速评估。 <8r"QJY/  
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