[转载]ANSYS通过台积电的7nm FinFET PLUS工艺技术和基于内存基板应用的集成扇出型高级封装技术认证

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原创： ANSYS   5Bwr\]%$P  
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台积电和ANSYS支持双方共同的客户满足更高的性能、可靠性和功耗要求 %{M_\Ae#  
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ANSYS宣布，ANSYS解决方案已通过台积电的7nm FinFET Plus（N7+）工艺技术节点认证，支持EUV（极紫外线光刻技术）技术，而且参考流程经验证可支持最新的基于内存基板应用的集成扇出型（InFO_MS）高级封装技术。上述认证和验证对于无晶圆厂的半导体企业非常重要，有助于其仿真工具通过严格的测试和验证过程，从而支持新的工艺节点和封装技术。 BY*{j&^  
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ANSYS RedHawk和ANSYS Totem通过了台积电N7+工艺技术认证，能提供支持EUV的相关特性。N7+的认证包括提取、电源完整性和可靠性、信号电迁移（EM）和热可靠性分析等方面。 Z8vMVo  
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业界领先的台积电InFO高级封装技术经过扩展后可将内存子系统和逻辑芯片集成在一起。台积电和ANSYS改进了现有的InFO设计流程，支持新型InFO_MS封装技术，并使用ANSYS SIwave-CPA、ANSYS RedHawk-CPA、ANSYS RedHawk-CTA、ANSYS CMA和ANSYS CSM及相应的芯片模型验证了参考流程。InFO_MS参考流程包括晶片和封装的协同仿真和协同分析，支持提取、电源和信号完整性分析、电源和信号电迁移分析以及热分析等。 Q=B>Q  
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台积电设计基础设施市场营销部门的高级总监Suk Lee指出：“台积电和ANSYS的最新N7+认证合作和InFO_MS支持工作能帮助客户满足新一代芯片和封装对于更高性能、可靠性和功耗的要求。”
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ANSYS半导体事业部总经理John Lee指出：“随着智能互联电子设备的数量不断增多，制造商必须跟上发展步伐，设计出节能型、高性能、可靠性产品，同时降低成本，缩小封装。ANSYS半导体解决方案可满足功率、热、可靠性等复杂的多物 .. ^:krfXT  
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