[H2018020211]HFSS入门培训班02期第五课

边界条件的类型 <d~IdK'\x  
1  理想导体边界条件 qk_YFR?R  
erfect E 是理想电导体边界条件，或简称为理想导体边界条件。这种边界条件的电场矢量 LA4,o@V`  
（E-Field）垂直于物体表面。在 HFSS 中，如下两种情况的物体边界会被自动设置为理想导体边界条 f5P@PG]{  
件。 \}:;kO4f  
（1）任何与背景相关联的物体表面都将被自动定义为理想导体边界，并命名为外部（Outer）边 $0,lE+7*  
界条件；这种情况下，HFSS 假定整个结构被理想导体壁包围着。 58[.]f~0  
（2） 材料属性设为理想电导体 （PEC） 的物体模型表面被自动定义为理想导体边界， 并命名为 xz*MFoE  
xY@<<  
smetal n_eN|m?@  
边界。 |wkUnn4UB8  
2  理想磁边界条件
Ocf:73t  
Perfect H 是一种理想的磁边界条件，这种边界条件的电场矢量与物体表面相切，磁场矢量与物体 ;R*tT%Z,  
表面垂直。 ppR;v  
3  有限导体边界条件 get$r5  
有限导体边界（Finite Conductivity）用来把物体表面定义为有耗导体，它是非理想的导体边界条 }~!KjFbs  
件。非理想导体的表面电场存在切向分量，用以模拟表面的损耗。 k.?@qCs[  
4  辐射边界条件 LPS]TG\  
辐射边界条件（Radiation）也称为吸收边界条件（Absorbing Boundary Condition，简称 ABC） ， 3Q2z+`x'  
在 HFSS 分析辐射问题时用以模拟开放的自由空间，常用于天线问题的分析。 @WnW @'*F  
5 对称边界条件 
# 5b   
（Symmetry）用来模拟理想电壁对称面或者理想磁壁对称面。在 HFSS 中，应用对 h:Hpz  
称边界条件，可以沿着对称面将模型一分为二，在建模时只创建模型的一个部分，这样能够减少物体 eeCrH
t4;  
模型的几何尺寸和设计的复杂性，有效地缩短问题求解的时间。 qK,PuD7i"  
6  阻抗边界条件 KA{JSi  
阻抗边界条件（Impedance）用以模拟已知阻抗值的电阻性表面， c3!YA"5  
7  集总 RLC 边界条件 r#\Lq;+-B  
集总RLC边界条件（Lumped RLC）是用一组并联的电阻、电感和电容来模拟物体表面。 _Eus7  
8  分层阻抗边界条件 ,Wlw#1fP  
分层阻抗边界条件（Layered Impedance）是用多层结构将物体表面模拟为一个阻抗表面，其效果 +qee8
QH  
与阻抗边界条件相同；与阻抗边界条件不同的是，对于分层阻抗边界条件，HFSS是根据输入的分层 bq"dKN`  
结构数据和表面粗糙度来计算表面电阻和表面电抗的。 m:]60koz]o  
9  无限地平面边界条件 m98w0D@Ee  
在HFSS中，如果需要将有限大的边界表面模拟成无限大的地平面 _KAg1Ww  
10  主从边界条件 f<LRM  
主从边界条件（Master and Slave）也称为关联边界条件（Linked Boundary Condition，简称LBC） ， 3}nkTZG  
用于模拟平面周期结构表面。 主从边界条件包括主边界和从边界两种边界条件， 二者总是成对出现的 DlxL:  
11  理想匹配层 d#u*NwY}  
理想匹配层（Perfectly Matched Layers，简称PML）是能够完全 .. VL8yL`~zc.  
<4RP:2#  

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