[教程]Siwave仿真课程Lesson 2

7、仿真设置Set simulation options OhmQ,  

8、S-parameter and TDR result ag/u8  
8.1 Single-Ended Characteristic aT/KT,!  

图片:2018-04-01_11-04-23.png

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Ø  P4_P、P4_N的S21较好，P1_P、P1_N的S21最差，而且是从低频开始，就一直很差，这是因为其走线最长（共11500mils），且有三次过孔换层。这造成的现象不一定是USB device连不上，有可能会降速成为USB1.1，或造成连接传输变慢（错误重连频率变高），或直插device没问题，但接一条1~3米的USB cable后就连不上...等down grade现象。Step9.2有个眼图模拟结果。

8.2 Single-Ended TDR result

    P4_N在从BGA端一出来，有很大的特性阻抗变化（电感性），详见问题与讨论11.3 *Xf[b)FR  
    P0_P、P0_N在从BGA端出来，走一段路后，看来是遇到换层引入via寄生电感效应，可以靠加大via孔径，或缩减板厚改善。但这不是一定要做的，因为steady-state impedance没有飘很多，TDR波形代表Tr非常小（28ps）的超高速信号频率成分所看到的阻抗不连续性，这不代表USB 2.0信号就会感受到这么严重的阻抗不连续性。 (mOqv9pn  

8.3 分析查分阻抗Differential Characteristic lJ1xx}k{U  
    这一步分析的是这三对差分对的差分阻抗，差分阻抗更能真实反映出走线设计的合理性。 FveK|
-  
bFxJ|  

9、USB Eye Analysis @C)h;TR  
9.1 快速眼图分析QuickEye Analysis

9.2 Transient Analysis with USB2.0 IBIS wC~Uy%  

感谢楼主继续分享，

9.2.2在主窗口右侧的Component Libraries中点击Import Models，可以看出下面出现了IBIS模型栏，点击进入Import Components选项， 5|I2  

9.2.3选择PersonalLib库（导入后记得将模型导入到这里，以后方便直接使用），找到.ibs格式的模型文件，点击打开后导入
(IAc*V~