[教程]Siwave仿真课程Lesson 1

谢谢楼主，正好跟着你学习

4、从TDR的模拟结果发现，明明是50欧姆的port，为何steady-state impedance不是收敛在50欧姆，而是51欧姆多。 m 3k}iIU7  

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这个问题其实在siwave_gsg官方文件有说明，主要原因是：此范例中，为了得到Z profile，在power、GND plane之间有跨了一颗1欧姆电阻，又因为还有一个通孔，所以这导致传输线的整个steady-state impedance增加1欧姆多。 GP|G[  
（PS，这一步原文仿真到了50GHz，我偷懒只仿真到10GHz，而且原文没有提供仿真截图，仅有结果，与我仿真的结果略有不同，如果上面的拓扑图不对，还请指出） YhpNeP{A  
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godmelody:谢谢楼主，正好跟着你学习 (2018-03-28 17:30)  'o2V}L'nG  

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多谢鼓励，欢迎指导！

当把仿真精度由10GHz提高到50GHz以后，TDR的结果与原文中的结果一致，说明仿真设置是正确的。

5、TDR的模拟结果，为何特性阻抗在46欧姆处剧烈震荡？ &C_0JyT  
原文中给出的解释是由于via的电容效应造成。 ~d+.w%Z`  
6、为何要在power与ground plane之间跨一颗1欧姆电阻，且说它相当于是power supply？（siwave_gsg官方文件p.25） Gz>M Y4+G  
下面是另一个例子，原power与ground plane之间是dielectric绝缘，所以中低频段看到都是高阻抗。 B,`B!rU  

图片:2018-03-29_22-00-10.png

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图片:2018-03-29_22-01-56.png

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主要观察AC信号缩减的power loop impedance Z，若模拟时在power-ground plane之间跨一个1欧姆小电阻，可便于观察趋势。下图加1欧姆跨在plane间后，可以看出Z profile在0~0.8GHz全频带对地阻抗都至少有1欧姆，3.5GHz以上会增加到大约10欧姆。集肤效应skin effect与anti-resonance RTHe#`t  

图片:2018-03-29_21-47-38.png

第一课完！

多谢！！！！！！！！！！！！！！！

谢谢分享

谢谢楼主，正在学习SIwave的信号完整性仿真，买了一些教材，不过里面的例子跟最新版的软件相差好远……

hlm1zhu:谢谢楼主，正在学习SIwave的信号完整性仿真，买了一些教材，不过里面的例子跟最新版的软件相差好远…… (2018-05-14 11:15)  I>]t% YKj  

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ANSYS每个版本的改动算小了，即使有差异，也不是特别大。CST的改动才算的上大，12版的CST和新版的完全就像两个不同的软件。