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HFSS中的激励类型和求解器
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[第六课]
HFSS中的激励类型和求解器
离线
atooooz
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2018-01-24
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2018-06-05
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仿真新人
0楼
发表于: 2018-02-06 22:19:57
HFSS 中,激励是一种定义在三维物体表面或者二维物体上的激励源,这种激励源可以是电磁场、电压源、电流源或者电荷源。HFSS 中定义了多种激励方式,主要有波端口激励(Wave Port)、集总端口激励(Lumped Port)、Floquet 端口激励(Floquet Port)、入 射波激励(Incident Wave)、电压源激励(Voltage Source)、电流源激励(Current Source)和磁偏置激励(Magnetic Bias)。所有的激励类型都可以用来计算场分布,
但是只有波端口激励、集总端口激励和 Floquet 端口激励可以用来计算 S 参数。
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(1)波端口激励
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默认情况下,HFSS 中与背景相连的物体表面都默认设置为理想导体边界,没有能量可以进出,波端口设置在这样的面上,提供一个能量流进/流出的窗口。波端口激励方式常用于波导结构、带状线结构以及共面波导结构等模型的仿真计算。与背景相接触的端口,激励方 式一般都设置为波端口激励。
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HFSS 仿真器假定用户所定义的每一个波端口都和一个半无限长波导相连,该波导与波端口具有相同的横截面和材料属性。同时,定义成波端口的平面必须有一定长度的均匀横截 面,以保证截止模的逐渐消失,从而确保仿真计算结果的精确性。
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在波端口激励的设置时,需要考虑的有端口处的激励场,波动方程,模式,端口校准和积分线,S参数的归一化,端口平移,终端线等
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(2)集总端口激励
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集总端口类似于传统的波端口,于波端口不同的是集总端口可以设置在物体模型内部,且用户需要设定端口阻抗;集总端口直接在端口处计算S参数,设定的端口阻抗即为集总端口上S参数的参考阻抗;另外,集总端口不计算端口处的传播常数γ,因此集总端口无法进行端口平移操作。(与波端口不同,集总端口边缘不与任何边界相连的部分默认边界条件是理想磁边界,因此集总端口的尺寸比波端口小)
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注意:对于模式驱动和终端驱动这两种不同的求解类型,波端口和集总端口激励的设置方法都是不一样的。
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(3)Floquet端口激励
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Floquet端口基于Floquet模式进行场求解,用于二维平面周期性结构的仿真设计,如平面相控阵列和频率选择表面等类型的问题。与波端口的求解方式类似,Floquet 端口求解的反射和传输系数能够以 S 参数的形式显示;使用 Floquet 端口激励并结合周期性边界,能够像传统的波导端口激励一样轻松地分析周期性结构的电磁特性,从而避免了场求解器复杂的后处理过程。此外,Floquet 端口允许用户指定端口处入射波的斜入射角和极化方式,然后从求解结果中选择所关心的极化分量。
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平面周期性结构可以看做由一个个相同的单元(Unit Cell)组成,使用Floquet端口和主从边界条件分析平面周期结构,用户只需要提取其中一个单元,然后建模。
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(4)入射波激励
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入射波激励(Incident Wave)是用户设置的朝某一特定方向传播的电磁波,其等相位面与传播方向垂直;入射波照射到器件表面,和器件表面的夹角称为入射角。入射波激励常用于电磁散射问题,如雷达反射截面(RCS)的计算。 HFSS 最新版本允许用户分配 7 种不同 类型的入射波激励,分别为 Plane Wave、Hertzian-Dipole Wave、Cylindrical Wave、Gaussian Beam、Linear Antenna Wave、Far Field Wave 和 Near Field Wave。
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(5)电压源激励
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电压源激励是定义在两层导体之间的平面上,用理想电压源来表示该平面上的电场激励。定义电压源激励时,需要设置的参数有电压的幅度、相位和电场的方向。在使用电压源激励时,用户需要注意以下两点。
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(1)电压源激励所在的平面必须远小于工作波长,且平面上的电场是恒定电场。
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(2)电压源激励是理想的源,没有内阻,因此后处理时不会输出 S 参数。
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(6)电流源激励
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电流源激励定义于导体表面或者导体表面的缝隙上,需要设定的参数有导体表面/缝隙的电流幅度、相位和方向。 和电压源激励一样,在使用电流源激励时,用户也需要注意以下两点。
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(1)电流源激励所在的平面/缝隙必须远小于工作波长,且平面/缝隙上的电流是恒定的。
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(2)电流源激励是理想的源,没有内阻,因此后处理时不会输出 S 参数。
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(7)磁偏置激励
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当HFSS设计中使用到铁氧体材料时,需要通过设置磁偏置激励来定义铁氧体材料网格的内部偏置场;该偏置场使铁氧体中的磁性偶极子规则排列,产生一个非零的磁矩。如果应用的偏置场是均匀的,张量坐标系可以通过旋转全局坐标系来设置;如果应用的偏置场是非均匀的,不允许旋转全局坐标来设置张量坐标系。均匀偏置场的参数可以由 HFSS 直接输入,而非均匀偏置场的参数需要从其他的静磁求解器(如Ansoft Maxwell 3D 软件)导入。
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图片:TIM图片20180206222504.jpg
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求解器类型
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在HFSS12.1之前的版本中,只有传统的基于有限元法(FEM)的求解器;在12.1之前又增加了基于矩量法(MoM)的HFSS-IE求解器。
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(1)HFSS求解器
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HFSS中4种求解类型:模式驱动求解(Driven Modal)、终端驱动求解(Driven Terminal) 和本征模求解(Eigenmode)和瞬态求解类型(Transient)。
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1.模式驱动求解类型
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以模式为基础计算 S 参数,根据导波内各模式场的入射功率和反射功率来计算 S 参数矩 阵的解。
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2.终端驱动求解类型
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以终端为基础计算多导体传输线端口的 S 参数;此时,根据传输线终端的电压和电流来计算 S 参数矩阵的解。
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3.本征模求解类型
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本征模求解器主要用于谐振问题的设计分析,可以用于计算谐振结构的谐振频率和谐振频率处对应的场分布,以及计算谐振腔体的无载 Q 值。 应用本征模求解时,需要注意以下几点。
Tz"Xm/Gy
(1)不需要设置激励方式。
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(2)不能定 ..
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atooooz
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1楼
发表于: 2018-02-06 23:01:40
任务二:从上图中可以看出HFSS18中多了两种激励类型terminal和linked field。在help中找到18支持的激励类型列表,但是没有看到其他详细介绍。。
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图片:TIM图片20180206225706.png
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