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[第五课]学习心得

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0楼发表于: 2018-02-05 15:19:33

HFSS 中定义了多种边界条件类型，主要有理想导体边界条件（Perfect E）、理想磁边界条件（Perfect H）、有限导体边界条件（Finite Conductivity）、辐射边界条件（Radiation）、对称边界条件（Symmetry）、阻抗边界条件（Impedance）、集总RLC 边界条件（Lumped RLC）、无限地平面（Infinite Ground Plane）、主从边界条件（Master and Slave）、理想匹配层（PML）和分层阻抗边界条件（Layered Impedance）。
在三维模型窗口点击右键，从弹出菜单中选择【Assign Boundary】操作命令，即可打开 HFSS 中所有边界条件的列表，如下图所示（为全部边界类型）。

一：                                                                                理想导体边界条件
Perfect E 是理想电导体边界条件，或简称为理想导体边界条件。这种边界条件的电场矢量（E-Field）垂直于物体表面。在 HFSS 中，如下两种情况下的物体边界会被自动设置为理想导体边界条件。
    （1）任何与背景相关联的物体表面都将被自动定义为理想导体边界，并自动命名为外部（Outer）边界条件；这种情况下，HFSS 假定整个结构被理想导体壁包围着。
   （2）材料属性设定为理想电导体（PEC）的物体模型表面会被自动定义为理想导体边界，并命名为smetal 边界条件。
    注意： 所谓背景是指几何模型周围没有被任何物体占据的空间，默认情况下，任何与背景有关联的物体表面都被自动定义为理想导体边界，并命名为外部（Outer）边界条件；在 HFSS 中，可以把几何结构想象为外面包围着一层很薄而且是理想导体的材料。如果有需要，用户也可以重新设置与背景相关联的物体表面的边界条件，使其与默认的理想导体边界不同。例如，使用 HFSS 分析设计天线类问题时，与背景相关联的物体表面通常需要重新设置为辐射边界条件。
    理想导体边界条件的设置操作步骤如下。
    （1）选中需要设置为理想导体边界条件的物体表面。
    （2）从主菜单栏选择【HFSS】→【Boundaries】→【Assign】→【Perfect E】，或者在三维模型窗口内单击鼠标右键，从弹出菜单中选择【Assign Boundary】→【Perfect E】，打开图 5.2 所示的理想导体边界条件设置对话框。

图 5.2 理想导体边界条件设置对话框

    （3）在该对话框中，Name 栏输入理想导体边界的名称，默认名称为 PerfEn；Infinite Ground Plane 复选框表示是否需要将该理想导体边界设置为无限大地平面边界；最后单击按钮，完成理想导体边界条件的设置。注关于无限地平面边界（Infinite Ground Plane）的定义参见本章5.2.9 节。
    （4）设置完成后，边界条件的名称会自动添加到工程树中的Boundaries 节点下。
    注： HFSS 中边界条件和激励的默认名称，用户可以自己设置或修改。通过菜单命令项【HFSS】→【Boundaries】→【Set Default Base Name】，即可以编辑和修改默认的边界条件和激励的名称。

二：                                                                                       HFSS理想的磁边界条件

     Perfect H 是一种理想的磁边界条件，这种边界条件的电场矢量与物体表面相切，磁场矢量与物体表面垂直。需要说明的是，在真实世界中不存在理想磁边界，它只是理论上的约束条件。在 HFSS 中灵活应用理想磁边界条件，可以实现如下两个重要功能。

    （1）在背景默认的理想导体边界条件上叠加理想磁边界条件，可以模拟开放的自由空间。
    （2）在理想导体边界上叠加理想磁边界将去掉理想导体边界的特性，恢复所选择区域为其原先的材料特性；也就相当于在理想导体表面上开个口，允许电场穿过。例如，使用该功能可以模拟在地平面上开个孔允许同轴馈线进出。
    对于理想磁边界叠加到理想导体边界的情况，我们也称之为自然边界条件。
    理想磁边界条件的设置操作步骤如下。
    （1）选中需要分配为理想磁边界条件的物体表面。
    （2）从主菜单栏选择【HFSS】→【Boundaries】→【Assign】→【Perfect H】，或者在三维模型窗口内单击鼠标右键，从弹出菜单中选择【Assign Boundary】→【Perfect H】，打开图 5.3 所示的“理想磁边界条件设置”对话框。

图 5.3 理想磁边界条件设置对话框

（3）在该对话框中，Name 栏输入理想磁边界条件的名称，默认名称为 PerfHn，然后单击OK按钮，完成理想磁边界条件的设置。
（4）设置完成后，边界条件的名称会自动添加到工程树中的 Boundaries 节点下。

图 5.4 调整边界条件的优先顺序

    注：在 HFSS 中，分配边界条件的先后顺序也是十分重要的，后面分配的边界条件优先于前面分配的边界条件。例如，如果给某一物体表面首先分配理想导体边界条件，然后给位于该表面上的一个小圆面分配理想磁边界条件，那么在这个小圆面内，理想磁边界条件将取代理想导体边界条件，这时电场可以穿过该圆面。反向操作的话，则理想导体边界条件将覆盖理想磁边界条件，这时电场不能穿过该圆面。另外，在定义了边界条件之后，用户可以通过主菜单命令【HFSS】→【Boundaries】→ 【Reprioritize】，打开如图 5.4 所示的 Reprioritize Boundaries 对话框，重新调整边界条件的优先次序。在打开的对话框中，单击边界条件的左侧并按住鼠标上下拖曳即可调整边界条件的优先顺序。

三：                                                           有限导体边界条件
有限导体边界（Finite Conductivity）用来把物体表面定义为有耗导体，它是非理想的导体边界条件。非理想导体的表面电场存在切向分量，用以模拟表面的损耗。和有耗导体材料的定义相似，为了模拟有耗导体的表面损耗，在定义有限导体边界条件时，用户需要提供以西门子/米（S/m）为单位的损耗参数—电导率，据此可以计算表面电场的切向分量。
    有限导体边界条件只有在导体模型为良导体时才有效，也就是说在工作频率范围内，导体的厚度要远大于导体的集肤深度。如果在工作频率范围内导体的厚度与导体的集肤深度相当，则需要定义为5.2.11 节讲到的分层阻抗边界条件。任何非理想导体材料（如铜、铝等金属材料）的物体表面都自动地定义为有限导体边界。     有限导体边界条件的设置操作步骤如下。
    （1）选中需要分配为有限导体边界条件的物体表面。
    （2）从主菜单栏选择【HFSS】→【Boundaries】→【Assign】→【Finite Conductivity】，或者在三维模型窗口内单击鼠标右键，从弹出菜单中选择命令【Assign Boundary】→【Finite Conductivity】，打开如图 5.5 所示的有限导体边界条件设置对话框。

图 5.5 有限导体边界条件设置对话框

    （3）在该对话框中，Name 栏输入有限导体边界条件的名称，默认名称为 FiniteCondn； Parameters 栏输入有限导体边界的电导率（Conductivity 项）和相对导磁率参数（Relative Permeability 项），或者选中 Use Material 复选框，从材料库中选择非理想导体材料作为有限导体边界的属性参数；Infinite Ground Plane 复选框表示是否需要将该理想导体边界设置为无限大地平面边界；Advanced 栏可以设置表面的粗糙度和表面厚度；最后单击OK按钮，完成有限导体边界条件的设置。
    （4）设置完成后，边界条件名称会自动添加到工程树中的 Boundaries 节点下。

四：                                                               HFSS  辐射边界条件

辐射边界条件（Radiation）也称为吸收边界条件（Absorbing Boundary Condition，ABC），在 HFSS 分析辐射、散射类问题时用以模拟开放的自由空间，常用于天线问题的分析。系统在辐射边界处吸收了电磁波，本质上就可以把边界看成是延伸到空间无限远处。在 HFSS 设计中定义了辐射边界条件后，软件会自动计算该设计的辐射场。
    辐射边界条件是自由空间的近似，这种近似的准确程度取决于波的传播方向与辐射边界表面之间的角度以及辐射源与边界表面之间的距离。这里以theta表示波的传播方向和辐射边界表面之间的角度，图 5.6 给出了辐射边界的反射系数与theta之间的关系曲线图。从图 5.6 可以看出，当波的传播方向与辐射边界表面正交，即theta=0 °时，电磁能量几乎全部被边界吸收，反射系数最小，此时仿真计算结果最准确；当波的传播方向与辐射边界表面平行，即theta=90 °时，电磁能量几乎全部被辐射边界反射回去，此时仿真计算结果的准确度最差。另外，通常情况下，为了保证计算结果的准确度，辐射边界距离辐射体应不小于 1/4 个工作波长。

图5.6 反射系数与入射波相对辐射边界表面夹角的关系曲线图

    辐射边界条件的设置操作步骤如下。
    （1）选中需要分配为辐射边界条件的物体表面，如果该物体所有表面都需要设置为辐射边界，可以直接选中该物体。
    （2）从主菜单栏选择【HFSS】→【Boundaries】→【Assign】→【Radiation】，或者在三维模型窗口单击鼠标右键，从弹出菜单中选择【Assign Boundary】→【Radiation】，打开如图 5.7 所示的辐射边界条件设置对话框。

图 5.7 辐射边界条件设置对话框

    （3）在该对话框的 Name 项中输入辐射导体边界的名称，默认名称为 Radn；对话框中的其他选项通常情况下保持默认设置即可；然后单击OK按钮，完成辐射边界条件的设置。
    （4）设置完成后，边界条件的名称会自动添加到工程树中的 Boundaries 节点下。

五：                                                                                  对称边界条件
对称边界条件（Symmetry）用来模拟理想电壁对称面或者理想磁壁对称面。在 HFSS 中，应用对称边界条件，可以沿着对称面将模型一分为二，在建模时只创建模型的一个部分，这样能够减少物体模型的几何尺寸和设计的复杂性，有效地缩短问题求解的时间。使用对称边界条件，在定义对称面时需要遵循以下几个原则。
    （1）对称面必须暴露在背景中。
    （2）对称面必须定义在平面表面上，不能定义在曲面上。
    （3）同一个设计最多只能定义 3 个相互正交的对称面。
    在应用对称边界条件之前，用户首先需要确定对称面的类型。HFSS 中有理想电壁和理想磁壁两种类型的对称面：如果电场垂直于对称面对称，那么就使用理想电壁对称面；如果磁场垂直于对称面对称，那么就使用理想磁壁对称面。图5.8 所示的矩形波导截面能很好地说明这两种类型对称面的区别，图中给出了波导电场主模（TE10模）示意图。波导有两个对称面，一个是水平方向上经过波导中心的对称面，一个是竖直方向上经过波导中心的对称面。在水平方向的对称面上，电场垂直于该对称面且对称分布，磁场平行于该对称面且幅度不变，因此该平面为理想电壁对称面；在竖直方向的对称面上，磁场垂直于该对称面且对称分布，电场平行于该对称面且幅度不变，因此该平面为理想磁壁对称面。

图 5.8 波导的对称边界

    在 HFSS 中，应用对称边界条件，由于只需构造模型的一部分，端口的尺寸发生了变化，因此端口处的电压、电流和功率都有可能与完整的模型不同，进而影响到端口的特性阻抗。为了使定义了对称边界条件后，物体的端口特性和原端口保持一致，在定义对称边界条件时需要正确地设置图 5.9 所示的阻抗倍乘器（Impedance Multiplier）。
图 5.9 设置阻抗倍乘器
    在讲解如何正确设置阻抗倍乘器之前，我们先来看一下 HFSS 中端口特性阻抗的计算。在 HFSS 中，端口特性阻抗可以有3 种方法计算，分别为功率/电流阻抗 Zpi、功率/电压阻抗 Zpv和电压/电流阻抗Zvi，具体计算方法如下。 Zpi是根据功率（P）和电流（I）的值来计算的，即 Zpi = P/I*I；Zpv是根据功率（P）和电压（U）的值来计算的，即 Zpv =U*U /P ；Zvi是根据电压（U）和电流（I）的值来计算的，即 Zvi=U*U/I* I。其中，端口处的功率（P）、电压（U）和电流（I），可以由场直接计算。端口处的电流可以根据安培定律计算得出，端口处的电压可以由端口处电场的积分得到，因为在端口处功率和电流的定义明确，且更易于计算，所以默认情况下，HFSS 通过功率和电流来计算端口处的特性阻抗Zpi。用户也可以设定计算 Zpv 和 Zvi，因为端口处的电压是沿着用户定义的积分线积分计算而来的，所以为了计算 Zpv和 Zvi，用户必须指定一条积分线。
    在了解了端口特性阻抗的计算方法之后，我们就可以很好理解在应用对称边界时，为何需要设置阻抗倍乘器以及如何正确设置阻抗倍乘器。结合图 5.9，当对称面是理想电壁对称面时，模型沿着理想电壁对称面对称地一分为二，此时端口处的电压和功率都只有完整模型的一半，根据特性阻抗计算公式可以知道，此时计算出的特性阻抗只是完整模型的一半；因此，这种情况下，阻抗倍乘器的值需要设置为2。同理，当对称面是理想磁壁对称面时，模型沿着理想磁壁对称面对称地一分为二，此时端口处电压不变，功率只有完整模型的一半，根据特性阻抗计算公式可以知道，此时计算出的特性阻抗是完整模型的两倍；因此，这种情况下，阻抗倍乘器的值需要设置为0.5。当同时应用了理想电壁对称面和理想磁壁对称面后，端口处的电压是原来的一半，功率是原来的 1/4，根据特性阻抗计算公式可以知道，计算出的特性阻抗和完整模型的特性阻抗一样；因此，这种情况下，不需要设置阻抗倍乘器（因为阻抗倍乘器的默认值为 1）。
    对于对称边界条件，首先需要确定边界条件的类型是理想电壁对称还是理想磁壁对称，对称边界条件的类型确定后，沿着对称面把模型一分为二，建模时只需要创建模型的一半。模型创建好了之后，对称边界条件的设置操作步骤如下。
    （1）选中模型的对称面。
    （2）从主菜单栏选择【HFSS】→【Boundaries】→【Assign】→【Symmetry】，或者在三维模型窗口内单击鼠标右键，从弹出菜单中选择【Assign Boundary】→【Symmetry】，打开如图 5.10 所示的“对称边界条件设置”对话框。

图 5.10 对称边界条件设置对话框

    （3）在该对话框中，Name 项输入辐射导体边界的名称，默认名称为 Symn；在 Symmetry 栏选择对称边界条件类型：Perfect E 为理想电壁对称面，Perfect H 为理想磁壁对称面；单击 Impedance Multiplier 按钮，设置阻抗倍乘器的值，对于理想电壁对称面阻抗倍乘器需要设置为 2，对于理想磁壁对称面阻抗倍乘器需要设置为 0.5；最后单击 OK 按钮，完成对称边界条件的设置。
    （4）设置完成后，对称边界条件的名称会自动添加到工程树中的 Boundaries 节点下。

六：                                                                 阻抗边界条件
阻抗边界条件（Impedance）用以模拟已知阻抗值的电阻性表面，例如，图 5.11 所示的威尔金森（Wilkinson）功分器，连接两个导体间的薄膜电阻在 HFSS 中就可以使用阻抗边界条件来实现。

图 5.11 Wilkinson 功分器

在设置阻抗边界条件时，用户需要给出单位为ohm/square 的电阻值 Rs 和电抗值 Xs，如图 5.12 所示，表面的阻抗值 Zs = Rs + jXs。据此，阻抗边界条件上的表面电场切向分量为 Etan=Zs（nxHtan）；式中，Zs是前面定义的以Ohm/square 为单位的表面阻抗；n是表面法向单位矢量；Htan是磁场的表面切向分量。其中，电阻值 Rs和电抗值 Xs可以通过集总的电抗值Zlupmed、表面长度 L 和宽度 W 这 3 个参数计算得出。这里，定义电流流经的方向为表面长度 L 的方向，square 的个数 N = L /W，单位表面阻抗 Zs = Z lumped/N。以图 5.11 所示薄膜电阻为例，假设该薄膜电阻的阻值为35 Ohm，薄膜电阻的长、宽分别为 3.5mils和 4 mils，则 N = 3.5/4 = 0.875 ，单位电阻 Rs = 35/0.875 = 40 Ohm/square，单位电抗 Xs = 0 Ohm/square ；然后在图 5.12 所示阻抗边界条件设置对话框的 Resistance 和Reactance 处分别输入40 和0 即可。

图 5.12 阻抗边界条件设置对话框

    阻抗边界条件的设置操作步骤如下。
    （1）选中需要分配为阻抗边界条件的物体表面。
    （2）从主菜单栏选择【HFSS】→【Boundaries】→【Assign】→【Impedance】，或者在三维模型窗口内单击鼠标右键，从弹出菜单中选择【Assign Boundary】→【Impedance】，打开如图 5.12 所示的阻抗边界条件设置对话框。
    （3）在该对话框中，Name 项输入阻抗边界的名称，其默认名称为 Impedn；Resistance 项和 Reactance 项分别输入表面电阻值 Rs和表面电抗值 Xs，其单位为Ohm/square；Infinite Ground Plane 复选框表示是否需要将该理想导体边界设置为无限大地平面边界；最后单击OK按钮，完成阻抗边界条件的设置。
    （4）设置完成后，阻抗边界条件的名称会自动添加到工程树中的 Boundaries 节点下。

七                                                                               集总 RLC 边界条件
  集总 RLC 边界条件（Lumped RLC）是用一组并联的电阻、电感和电容来模拟物体表面。在设置集总 RLC 边界条件时，用户只需要给出集总 R、L、C 的真实值，HFSS 软件会自动计算出工作频率下集总RLC 边界以 Ohm/square 为单位的表面阻抗。对于图 5.11 所示的威尔金森（Wilkinson）功分器，连接两个导体间的薄膜电阻也可以使用集总 RLC 边界条件来实现。
    集总 RLC 边界条件的设置操作步骤如下。
    （1）选中需要分配为集总 RLC 边界条件的物体表面。
    （2）从主菜单栏选择【HFSS】→【Boundaries】→【Assign】→【Lumped RLC】，或者在三维模型窗口内单击鼠标右键，从弹出菜单中选择【Assign Boundary】→【Lumped RLC】，打开如图 5.13 所示的集总 RLC 边界条件设置对话框。

图 5.13 集总 RLC 边界条件设置对话框

    （3）在该对话框中，Name 项输入集总 RLC 边界的名称，其默认名称为 LumpRLCn；选中 Parallel R、L、C Values 栏的 Resistance、Inductance 和 Capacitance 复选框，并输入集总电阻、电感和电容值；Current Flow Line 项定义电流的方向。最后，单击OK按钮，完成集总RLC 边界条件的设置。
    （4）设置完成后，集总 RLC 边界条件的名称会自动添加到工程树中的 Boundaries 节点下。

八：                                                        分层阻抗边界条件
分层阻抗边界条件（Layered Impedance）是用多层结构将物体表面模拟为一个阻抗表面，其效果与阻抗边界条件相同；与阻抗边界条件不同的是，对于分层阻抗边界条件，HFSS 是根据输入的分层结构数据和表面粗糙度来计算表面电阻值和表面电抗值的。分层阻抗边界条件不支持快速扫频。
   分层阻抗边界条件的设置操作步骤如下。
    （1）选中需要分配为分层阻抗边界条件的物体表面。
    （2）从主菜单栏选择【HFSS】→【Boundaries】→【Assign】→【Layered Impedance】，或者在三维模型窗口内单击鼠标右键，从弹出菜单中选择【Assign Boundary】→【Layered Impedance】，打开图 5.14 所示的“分层阻抗边界条件设置”对话框。

图 5.14 分层阻抗边界条件设置对话框之一

（3）在该对话框的 Name 项中输入分层阻抗边界条件的名称，其默认名称为 Layeredn；Surface Roughness 项输入表面层的粗糙度；然后单击按钮，进入图 5.15 所示对话框。

图 5.15 分层阻抗边界条件设置对话框之二

    （4）如果分层阻抗边界条件定义在物体模型的最外层表面，不需要选中 Internal 复选框，如果分层阻抗边界条件定义在物体模型内部的表面上，则需要选中 Internal 复选框；然后设置分层结构的层数、每一层的厚度和每一层的材料；使用 New Layer 和 Remove Layer 按钮可以添加和删除上面分层结构的层数。另外，作为可选项，可以在 Impedance Value 栏计算出上面分层结构的阻抗。最后单击OK按钮，完成分层阻抗边界条件的设置。
    （5）设置完成后，分层阻抗边界条件的名称会自动添加到工程树中的 Boundaries 节点下。

九：                                                           无限地平面边界条件
  在 HFSS 中，如果需要将有限大的边界表面模拟成无限大的地平面，需要设置无限地平面边界条件（Infinite Ground Plane）。在理想导体边界条件、有限导体边界条件和阻抗边界条件的设置对话框中，都有 Infinite Ground Plane 复选框，选中该复选框即表示将该边界条件同时设置为无限大地平面边界。设置无限大地平面边界条件只影响后处理过程中近区、远区辐射场的计算结果。
    设置无限大地平面边界条件时，需要满足以下要求。
    （1）无限大地平面必须暴露在背景上。
    （2）无限大地平面必须定义在平面上。
    （3）无限大地平面和对称面的总数不能超过3 个。
    （4）无限大地平面和对称面必须互相垂直。

十：                                                        主从边界条件
主从边界条件（Master and Slave）也称为关联边界条件（Linked Boundary Condition， LBC），用于模拟平面周期结构表面。主从边界条件包括主边界和从边界两种边界条件，二者总是成对出现的，且主边界表面和从边界表面的形状、大小和方向必须完全相同，主边界表面和从边界表面上的电场存在一定的相位差，该相位差就是周期性结构相邻单元之间存在的相位差。
    在定义主从边界条件时，可以直接指定主从边界表面的相位差，或者通过指定扫描角，由软件来计算主从边界表面的相位差。在 HFSS 中，建立一对主、从边界表面，除了要求主、从边界表面形状大小完全相同外，还必须使用 UV 相对坐标系来设置主、从边界表面的方向，以保证主从边界表面方向的一致性。以图 5.17 为例，要使图中的主、从边界表面完全匹配，相应的从坐标系需要沿逆时针旋转 90°，以保证 U、V 方向轴方向一致，图5.17 最右侧的图形是旋转之后的结果。从图中可以看出，旋转之后虽然主从边界表面的方向一致了，但是由于 U、V 相对坐标系的设置不当，  导致主从边界表面不能完全匹配。因此，用户在设置主从边界条件时，需要正确设置 UV 坐标轴的方向。

图 5.17 主、从边界 UV 坐标系说明示意图

设置主从边界条件时，主边界和从边界是分开单独设置的，下面以图 5.18（a）所示的长方体为例，把长方体的左右两侧表面分别设置为一对主从边界条件。

图 5.18 主从边界设置前后示意图

    首先，把长方体的左侧表面设置为主边界条件，操作步骤如下。
    （1）选中长方体的左侧表面。
    （2）从主菜单栏选择【HFSS】→【Boundaries】→【Assign】→【Master】，或者在三维模型窗口内单击鼠标右键，从弹出菜单中选择【Assign Boundary】→【Master】，打开图 5.19 所示的主边界条件设置对话框。

图 5.19 主边界设置对话框

（3）在该对话框中，Name 栏输入主边界条件的名称，其默认名称为 Mastern，这里使用其默认名称 Master1；Coordinate System 栏用来设置主边界表面 U、V 坐标轴的方向，从 U Vector 项下拉列表中选择 New Vector，进入三维模型窗口，设置主边界表面 U 坐标轴方向；U 坐标轴方向设置好后，V 坐标轴默认方向是 U 坐标轴逆时针旋转 90°，如果选中 Reverse Direction 复选框，则 V 坐标轴方向变为 U 坐标轴顺时针旋转 90°。最后，单击OK按钮，完成主边界条件的设置。
（4）设置完成后，主边界条件的名称 Master1 会自动添加到工程树中的 Boundaries 节点下。[/colo ..

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1楼发表于: 2018-02-05 15:33:38

常用的边界：
RAD，用得最多的，HFSS里最先使用的界面。
1，运用这个边界时，一般要模型距离天线的边缘，为最低计算频率所对应电长度的0.25倍；
2，RAD边界的吸收性能与入射角相关，当入射角大于40度时，吸收效果明显下降；
3，辐射边界条件的网格密度对于天线辐射特性的计算精度有影响；
4，定义辐射边界条件的面处积分得到远场辐射方向图，也可以自行定义计算远场时的积分面。

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2楼发表于: 2018-02-05 15:34:13

常用的边界：
PML边界：
1，运用这个边界时，一般要模型距离天线的边缘，为最低计算频率所对应电长度的0.05倍，可以良好的吸收。但是求解远场方向图时，仍时0.25倍的电长度。
2，PML，可以实现真正的零反射，表示无限大的自由空间。
3，远场计算时，软件自动将PML的基准面定义为积分表面，以便得到远场图。
4，可以替代RAD，计算更精确。

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3楼发表于: 2018-02-05 15:34:36

常用的边界：
FE-BI专门针对大尺寸的开放结构仿真；对辐射体距离没有要求；能够完全吸收所有的入射波；与结构的共形性非常好；但是FEBI算法可以有效地降低计算机硬件资源；针对外部辐射空间采用IE求解，针对金属结构体采用FEM求解，大减少辐射区域的求解规模提升求解效率。

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