[原创]800-2700MHz的10dB耦合器仿真问题

各位大神大家好，本人仿真了一款800-2700MHz的10dB耦合器，以优化耦合度为目标，耦合度可以达到要求，但是端口驻波比再怎么优化都没有下降的趋势，想向各位大神请教请教。指标要求：驻波1.25，耦合度 .. 1CO
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试试这个方式 ( 它比较接近现实 )。 `Fo/RZOW  
1-.修改模型的Box6_pec区块，往外延伸到与(Teflon+pin)的那个平面-平齐。就是将耦合器的实体部份包进Box6。 d@1^U9sf  
2-.改端口模式为(Driven Terminal)。 nw%9Qw  
3-.端口激励表面模型必须是接触到pin、teflon、修改后的Box6边缘。如同图中的意思。 oSmETk\  

图片:R00.jpg

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4-.设置Terminal 端口、相对参考标的物->同为(修改后的Box6_除非它改名称了)。 [`qdpzUp&  
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** 虚心求教是好事，但可以免去大师、大神...之类无必要且无意义的称号，大家都在同修。

foxman:试试这个方式 ( 它比较接近现实 )。 2 3PRb<q  
1-.修改模型的Box6_pec区块，往外延伸到与(Teflon+pin)的那个平面-平齐。就是将耦合器的实体部份包进Box6。 baII!ks  
2-.改端口模式为(Driven Terminal)。 ]64}Xob87_  
3-.端口激励表面模型必须是接触到pin、teflon、修改后的Box6边缘。如同图中的意思。 34u[#O{2  
[attachment .. (2016-07-20 15:41)  ZDFq=)0C  

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那还是用waveport吗？

言午燕:那还是用waveport吗？ (2016-07-21 11:13)  L8D=F7  

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当它是lumped也行、不过它还是偏waveport多一点!! 一样的face画法、一样的双通性回避规则、设置方式不同而已!

foxman:
当它是lumped也行、不过它还是偏waveport多一点!! 一样的face画法、一样的双通性回避规则、设置方式不同而已! +zFEx%3^  

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当它是lumped也行、不过它还是偏waveport多一点!! 一样的face画法、一样的双通性回避规则、设置方式不同而已 B<!wh  
双通性回避规则: 当整个物件是包覆在air_box里面时才需要，若是waveport另一面已是pec? 则可以不必另行设置port_cap! 61K:SXj  
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图片:01.jpg

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不是我不能画，而是我觉得由你们自己激发出的意思去画成的，你才会有成就感和收获。 }Oy/F  

foxman:
当它是lumped也行、不过它还是偏waveport多一点!! 一样的face画法、一样的双通性回避规则、设置方式不同而已 6Ez}A|i  
双通性回避规则: 当整个物件是包覆在air_box里面时才需要，若是waveport另一面已是pec? 则可以不必另行设置port_cap! 29pIO]8;  
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不是我不能画，而是我觉得由你们自己激发出的意思去画成的，你才会有成就感和收获。 3IZ^!J  
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那您帮我看看我这么设端口对不对，

图片:图1.JPG

图片:图2.JPG

端口1外面是理想导体圆柱？ *\I?gDON  
您帮我看一下对不对，因为仿真有报错

图片:图3.JPG

建议用lumped port，wave有时候会有各种问题，这种带宽的电桥我设计过3dB的，在HFSS中四个端口设成lumped，仿真和实测基本一样

6楼的建议甚是，就楼主所贴之模型图看来...所画的组构确实不适合使用waveport ! x'{L%c>L  
***还有一个问题要注意: 在airbox里的金属导体，不可以和airbox的边界接触!!(因为那层薄薄的界面另一边就是PEC--意义等同于waveport后的那个PEC_port-CAP)

xuexuexixi

学习学习！！