[互助]HFSS仿真微带线如何看特性阻抗？

RT.刚学HFSS，画了一个微带线，但是看portZ0的值明显和ADS计算出来的不一致，请问哪里出了问题

描述:模型

图片:模型.jpg

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`M8i92V\qY  

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看下你的端口面。。。

图片:QQ图片20150910173206.jpg

端口面是这样的，不太清楚如何设置积分线与端口面。请问对么 JMM W  

不对 ，直接把空气腔的一整面作为端口

想看微带线的特性阻抗必须用波端口，你用波端口了吗？另外就算你用的集总端口，从这图片看来也不对，估计即集总端口都设置错了

端口太小，端口不归一化

端口太小了

用集中端口，然后打TDR看阻抗即可

Lump mode是解电压、电流，而Wave port是解"模态"(mode) y0.8A-2:  
c*L\_Vx+  
从以上描述不难理解，若Wave port所在的平面空间不够大，将导致传输线周围的电力线与磁力线涵盖不够，所以整个模拟值会偏差较大。 8~z~_TD6m@  
3!
oi+_  
以线宽W=6mils、线距S=3W=18mils、线长2000mils的 传输线为例，堆栈结构则是线铜厚1.4mils，讯号线放在高度58mils的substrate上(Microstrip)，介电系数4.25，有reference plane. E3gh?6  
[attachment=71205] 3e;^/kf<9  
1.    把wave port建在boundary face of free space上，且这wave port平面贴着传输线，如下图所示，模拟出来的特性阻抗大约136.7~138.5 ohm，与Polar的特性阻抗试算结果完全吻合。 )@Yf]qx+Y<  
[attachment=71207] O%KsD[W;  
此处背景空间(free space)的大小，会影响到模拟出来的特性阻抗值 [dIXR  
2.    Wave port建在PCB substrate的侧边YZ平面上，且这平面贴着free space，如下图所示，模拟出来的特性阻抗随着频率大幅变化。因为这样的wave port没有考虑传输线上方空间的电磁场效应，所以模拟结果是错的 LKOwxF#TKT  
[attachment=71208] bU:EqW\(^  
3.    Wave port建在PCB substrate的侧边YZ平面上，且这平面不贴着free space。这样模拟是跑不出来的，因为除了没有考虑传输线上方空间的电磁效应，在free space boundary与substrate上的wave port之间的空间，没有电磁场的information p &"`RS#Z  
[attachment=71209] 'yG4 LF  
4.    在PCB substrate的侧边YZ平面上，另建一个"矩形平面"，贴着传输线而不贴着free space boundary，在这新建的平面上下wave port，模拟结果是错的 H0`]V6+<f  
[attachment=71206] RM]M@%,K  

5.    在PCB substrate的侧边YZ平面上，另建一个矩形平面，贴着传输线 与free space boundary，在这新建的平面上下wave port，模拟出来的特性阻抗大约137.8~139.1 ohm，与Polar的特性阻抗试算结果完全吻合。

图片:6.JPG

MR,R}B$  
6.    在PCB substrate的侧边YZ平面上，另建一个矩形平面，贴着传输线 与free space boundary，但这free space只包上半平面，在这新建的平面上下wave port，模拟出来的特性阻抗大约131.8~133 ohm，略小于Polar的特性阻抗试算结果。

图片:7.JPG

\uq/x^?yo  
以Wave port输入时，要注意sheet edge of port的boundary condition默认为Perfect-E，要注意这会影响到整个仿真系统的"模态数目"计算。[number of mode]=独立的导体net数目#n-1